[發明專利]一種硅片化學鍍銅方法

有效

• 申請號: 201710963804.5
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN107747084B
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 陳偉長;劉波;張勇
• 申請（專利權）人: 南通賽可特電子有限公司
• 主分類號: C23C18/40
• 分類號: C23C18/40;C23C18/18;C30B33/00
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張漢欽

1.一種硅片化學鍍銅方法，其特征在于，所述硅片化學鍍銅方法包括：

1）除油處理：將硅片依次在丙酮、無水乙醇、去離子水中超聲清洗40-50分鐘，接著將所述硅片置于濃硫酸/雙氧水混合溶液中，所述濃硫酸/雙氧水混合溶液中濃硫酸和雙氧水的體積比為3：1，在90-110℃下熱處理50-100分鐘，接著用去離子水沖洗所述硅片；

2）粗化處理：將步驟1得到的硅片放置于75-85℃粗化液中超聲攪拌清洗10-30分鐘，其中所述粗化液中各組分的質量百分比組成為：氫氧化鉀0.3%-0.6%、硅酸鉀0.3%-0.5%、乙醇3%-6%、異丙醇2%-5%、吲哚丙酸0.02%-0.05%以及余量的水，然后用去離子水清洗所述硅片；

3）敏化處理：用18-25g/L的氯化亞錫和50ml/L的鹽酸配制成的混合溶液對步驟2得到的硅片進行浸泡敏化處理10-30分鐘，溫度為20-30℃，然后用去離子水清洗所述硅片；

4）活化處理：用8-10g/L的硝酸銀和30-50ml/L的氨水配制成的混合溶液對步驟3得到的硅片進行浸泡活化處理10-20分鐘，溫度為20-30℃，然后用去離子水清洗所述硅片；

5）化學鍍銅處理：首先以升溫速度為1-3℃/min的條件將化學鍍銅溶液從室溫加熱至40℃，接著將步驟4得到的硅片放置于上述化學鍍銅溶液中，在40℃下保溫5-10分鐘，接著以升溫速度為2-5℃/min的條件將化學鍍銅溶液從40℃加熱至75℃，在75℃下保溫30-50分鐘，接著以降溫速度為3-6℃/min的條件將化學鍍銅溶液從75℃降溫至40℃，在40℃下保溫10-20分鐘，將化學鍍銅處理后的硅片從化學鍍銅溶液中取出，對化學鍍銅處理后的硅片用去離子水清洗，然后進行干燥處理以得到鍍銅硅片。

2.根據權利要求1所述的硅片化學鍍銅方法，其特征在于，所述化學鍍銅溶液包括10-30g/L的無水硫酸銅，10-15ml/L的甲醛，20-40g/L的酒石酸鉀鈉,150-300mg/L的亞鐵氰化鉀以及10-50g/L的氫氧化鈉。

3.根據權利要求1所述的硅片化學鍍銅方法，其特征在于，所述化學鍍銅溶液包括10-20g/L的無水硫酸銅，30-60g/L的乙二胺四乙酸二鈉，3-8g/L的次亞磷酸鈉，30-60mg/L的2,2’-聯砒啶，50-80mg/L的亞鐵氰化鉀，30-80g/L的氫氧化鈉以及5-10ml/L的水合肼。