[發明專利]熔絲燒斷系統及其操作方法

在審

• 申請號: 201710963380.2
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN109256163A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 許庭碩;沈志瑋
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408;G11C29/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本公開涉及一種動態隨機存取存儲器DRAM的熔絲燒斷系統。該熔絲燒斷系統包含一熔絲元件與一映射元件。該映射元件與該熔絲元件一起整合在該DRAM中；該映射元件經配置以使能該熔絲元件并且對于該熔絲元件提供一實體位址；其中使能的該熔絲元件僅響應提供的該實體位址，對于該DRAM的一熔絲進行一熔絲燒斷操作。

技術領域

本公開涉及一種動態隨機存取存儲器(dynamic random access memory，DRAM)，更特別地，本公開涉及一種DRAM的熔絲燒斷系統(fuse-blowing system)。

背景技術

隨著復雜制程所制成的微小化存儲元件的發展，存儲元件越來越容易出現各種性能限制缺陷。目前，熔絲與電熔絲(e-fuse)最常用于解決各種缺陷造成的問題，在復雜的修復方法中使用熔絲與電熔絲以解決所述問題。

上文的「現有技術」說明僅是提供背景技術，并未承認上文的「現有技術」說明公開本公開的標的，不構成本公開的現有技術，且上文的「現有技術」的任何說明均不應作為本公開的任一部分。

發明內容

本公開的實施例提供一種動態隨機存取存儲器(dynamic random accessmemory，DRAM)的熔絲燒斷系統。該熔絲燒斷系統包含一熔絲元件與一映射元件。該映射元件與該熔絲元件一起整合在該DRAM中；該映射元件經配置以使能該熔絲元件并且對于該熔絲元件提供一實體位址；其中使能的該熔絲元件僅響應提供的該實體位址，對于該DRAM的一熔絲進行一熔絲燒斷操作。

在本公開的一些實施例中，該映射元件另經配置以自該DRAM的一外部元件接收一信息，該信息包含該DRAM的一正常字元線的一邏輯位址，其中該正常字元線含有缺陷，以及該映射元件對于該熔絲元件提供該邏輯位址映射的該實體位址。

在本公開的一些實施例中，該映射元件另經配置以自該元件接收一指令，該指令指示進行該熔絲燒斷操作，以及該映射元件響應所接收的該指令而使能該熔絲元件。

在本公開的一些實施例中，若先前尚未接收所提供的該實體位址，則使能的該熔絲元件另經配置以僅響應提供的該實體位址，對于該熔絲進行該熔絲燒斷操作。

在本公開的一些實施例中，若所提供的該實體位址是先前已經接收的該實體位址，則使能的該熔絲元件另經配置以僅響應提供的該實體位址以及對于先前已經進行該熔絲燒斷操作的該熔絲之外的一熔絲，進行該熔絲燒斷操作。

在本公開的一些實施例中，進行該熔絲燒斷操作的該熔絲緊鄰先前已經進行該熔絲操作的該熔絲。

在本公開的一些實施例中，進行該熔絲燒斷操作的該熔絲緊鄰一熔絲，其緊鄰先前已經進行該熔絲操作的該熔絲。

在本公開的一些實施例中，該DRAM包含一第三代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器(double-data-rate three synchronous dynamic random access memory，DDR3)。

在本公開的一些實施例中，該熔絲包含一激光可燒斷的熔絲。

本公開的一些實施例提供一種動態隨機存取存儲器(dynamic random accessmemory，DRAM)的熔絲燒斷系統。該熔絲燒斷系統包含一熔絲元件、一第一熔絲、一第二熔絲、以及一映射元件。該第一熔絲可由該熔絲元件燒斷，且該第二熔絲可由該熔絲元件燒斷。該映射元件與該熔絲元件一起整合于該DRAM中，該映射元件經配置以使能該熔絲元件并且第一次對于該熔絲元件提供一實體位址。使能的該熔絲元件僅響應該第一次提供的該實體位址，對于該第一熔絲進行一熔絲燒斷操作。當該映射元件使能該熔絲元件并且對于該熔絲元件第二次提供該實體位址時，使能的該熔絲元件僅響應該第二次提供的該實體位址，對于該第二熔絲進行該熔絲燒斷操作。