[發明專利]熔絲燒斷系統及其操作方法

在審

• 申請號: 201710963380.2
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN109256163A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 許庭碩;沈志瑋
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408;G11C29/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種動態隨機存取存儲器DRAM的熔絲燒斷系統，包括：

一熔絲元件；以及

一映射元件，與該熔絲元件一起整合于該DRAM中，該映射元件經配置以使能該熔絲元件并且對于該熔絲元件提供一實體位址；

其中使能的該熔絲元件僅響應提供的該實體位址，對于該DRAM的一熔絲進行一熔絲燒斷操作。

2.如權利要求1所述的熔絲燒斷系統，其中該映射元件另經配置以自該DRAM的一外部元件接收一信息，該信息包含該DRAM的一正常字元線的一邏輯位址，其中該正常字元線含有缺陷，以及該映射元件對于該熔絲元件提供該邏輯位址映射的該實體位址。

3.如權利要求2所述的熔絲燒斷系統，其中該映射元件另經配置以自該外部元件接收一指令，該指令指示進行該熔絲燒斷操作，以及該映射元件響應所接收的該指令而使能該熔絲元件。

4.如權利要求1所述的熔絲燒斷系統，其中使能的該熔絲元件另經配置以當先前尚未接收所提供的該實體位址時，僅響應提供的該實體位址，對于該熔絲進行該熔絲燒斷操作。

5.如權利要求1所述的熔絲燒斷系統，其中使能的該熔絲元件另經配置以僅響應提供的該實體位址以及當先前已經接收所提供的該實體位址時，對于先前已經進行該熔絲燒斷操作的該熔絲之外的一熔絲，進行該熔絲燒斷操作。

6.如權利要求5所述的熔絲燒斷系統，其中進行該熔絲燒斷操作的該熔絲緊鄰先前已經進行該熔絲操作的該熔絲。

7.如權利要求6所述的熔絲燒斷系統，其中進行該熔絲燒斷操作的該熔絲緊鄰一熔絲，其緊鄰先前已經進行該熔絲操作的該熔絲。

8.如權利要求1所述的熔絲燒斷系統，其中該DRAM包含一第三代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器DDR3。

9.如權利要求1所述的熔絲燒斷系統，其中該熔絲包含一激光可燒斷的熔絲。

10.一種動態隨機存取存儲器DRAM的熔絲燒斷系統，包括：

一熔絲元件；

一第一熔絲，可由該熔絲元件燒斷；

一第二熔絲，可由該熔絲元件燒斷；以及

一映射元件，與該熔絲元件一起整合于該DRAM中，該映射元件經配置以使能該熔絲元件，并且第一次對于該熔絲元件提供一實體位址；

其中使能的該熔絲元件僅響應該第一次提供的該實體位址，對于該第一熔絲進行一熔絲燒斷操作，

其中當該映射元件使能該熔絲元件并且對于該熔絲元件第二次提供該實體位址時，該熔絲元件僅響應該第二次提供的該實體位址，對于該第二熔絲進行該熔絲燒斷操作。

11.如權利要求10所述的熔絲燒斷系統，其中該映射元件另經配置以自該DRAM的一外部元件接收一信息，該信息包含該DRAM的一正常字元線的一邏輯位址，其中該正常字元線含有缺陷，以及該映射元件對于該熔絲元件提供該邏輯位址映射的該實體位址。

12.如權利要求11所述的熔絲燒斷系統，其中該映射元件另經配置以自該元件接收一指令，該指令指示進行該熔絲燒斷操作，以及該映射元件響應所接收的該指令而使能該熔絲元件。

13.如權利要求10所述的熔絲燒斷系統，其中該第二熔絲緊鄰該第一熔絲。

14.如權利要求10所述的熔絲燒斷系統，其中該第二熔絲緊鄰一熔絲，該熔絲緊鄰該第一熔絲。

15.如權利要求10所述的熔絲燒斷系統，其中該DRAM包含一第三代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器DDR3。

16.如權利要求10所述的熔絲燒斷系統，其中該熔絲包含一激光可燒斷的熔絲。