[發(fā)明專利]一種測(cè)量?jī)?chǔ)氫容器加工件具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710962828.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107817255A | 公開(公告)日: | 2018-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙和明;張?chǎng)H;王國(guó)文;劉小林;石章海;董富軍;袁靜;黃珍;卞斌;廖桑桑;陳登國(guó);李聲延;王婷華;孫樂(lè)飛;陳曉浪;熊文名;陽(yáng)雋覦;劉志芳;楊帆;王華;胡書春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新余鋼鐵股份有限公司;西南交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N23/04 | 分類號(hào): | G01N23/04 |
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| 地址: | 338001 *** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 測(cè)量 容器 工件 具體位置 缺陷 嚴(yán)重 程度 方法 | ||
1.一種測(cè)量?jī)?chǔ)氫容器加工件具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度的方法,具體包括以下步驟:
1)將儲(chǔ)氫容器加工件在加熱爐內(nèi)加熱至200℃~280℃后,保溫50~150min,再冷卻至常溫,置入真空室內(nèi),抽真空至3~50Pa,充入20~50KPa的氫同位素氚,1~10min后,加熱含氚氣體至100℃~280℃,保溫10~20 h;
2)取出儲(chǔ)氫容器加工件,冷卻至常溫,再置于暗室內(nèi),貼上感光底片,接收儲(chǔ)氫容器加工件內(nèi)部的氫同位素氚原子衰變產(chǎn)生的β射線和由β射線誘導(dǎo)產(chǎn)生的X射線,1小時(shí)后,取出感光底片,沖洗,通過(guò)彩色掃描儀在電腦上顯示感光底片上儲(chǔ)氫容器加工件具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度及分布狀況;
3)將顯示儲(chǔ)氫容器加工件氫缺陷色度的感光底片與氫缺陷嚴(yán)重程度標(biāo)準(zhǔn)比色板比對(duì),確定具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度級(jí)別。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量?jī)?chǔ)氫容器加工件具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度的方法,其特征在于,步驟1)將儲(chǔ)氫容器加工件在加熱爐內(nèi)加熱至250℃~280℃后,保溫60min~90min,再冷卻至常溫,置入真空室內(nèi),抽真空至4~25Pa,充入35~50KPa的氫同位素氚,2~6min后,加熱含氚氣體至180℃~280℃后,保溫11~15 h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量?jī)?chǔ)氫容器加工件具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度的方法,其特征在于,步驟1)將儲(chǔ)氫容器加工件在加熱爐內(nèi)加熱至270℃~280℃后,保溫50min~60min,再冷卻至常溫,置入真空室內(nèi),抽真空至5~20Pa,充入40~50KPa的氫同位素氚,1~4min后,加熱含氚氣體至260℃~280℃后,保溫10~12 h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3所述的一種測(cè)量?jī)?chǔ)氫容器加工件具體位置氫缺陷嚴(yán)重程度的方法,其特征在于,所述含氚氣體純度為30.0%~99.9%。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料,例如X射線、中子
G01N23-02 .通過(guò)使輻射透過(guò)材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射,例如,用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu);利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過(guò)用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
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