[發明專利]一種P型雙面晶硅太陽電池的制作工藝

在審

• 申請號: 201710957062.5
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN107785457A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 褚玉壯;何晨旭;赫漢;吳泓;朱波興
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 任立

1.一種P型雙面晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于， 該P 型雙面晶硅太陽電池的制作工藝具體包括以下步驟：

（1）P型硅襯底雙面制絨和氧化

選擇電阻率為0.4-1Ω/cm 的P 型硅片，并用1.0-1.5% 的氫氧化鉀溶液在80℃下對P型單晶硅表面進行化學腐蝕，制備出金字塔形狀的陷光結構絨面，隨后再用稀釋的15% 的鹽酸和氫氟酸進行清洗，除去表面雜質，再用60℃的溫水進行浸泡慢提脫水氧化；

（2）在P型硅襯底的前表面先進行單面硼擴散，形成P+層

在硼源體系擴散爐中在1000-1200℃的溫度下，采用三溴化硼對P型硅襯底的前表面進行硼擴散形成P+層，再對P 型硅襯底的另外一面背表面進行常規的800-850℃三氯氧磷磷擴散形成PN結，使其方阻范圍是60-100Ω/□；

（3）磷硅玻璃和背面PN 結、側面PN 結的去除

在單面刻蝕的設備中，采用氫氟酸和硝酸的混合溶液，刻蝕P型硅片的背表面和邊緣，去掉背面和側面多余的PN，再用HF酸去除表面和背面的磷硅玻璃，結束后對其雙面進行臭氧氧化形成氧化硅層；

（4）沉減反射膜：

在P型硅襯底上的PN 結一側采用等離子化學氣相沉積氮化硅膜，氮化硅膜作為減反射膜，膜的厚度為80nm；

（5）制備電池的負極

采用印刷技術在經步驟（4）處理后得到的氮化硅膜表面印刷含銀漿料的電池負極，并在850-900℃下燒結刺穿電池正面達到N型襯底；

（6）制備背面透明導電薄膜

用PVD對電池背面進行背面濺射鍍透明導電薄膜；

（7）制備電池的正極：

采用印刷技術在經步驟（6）處理后得到的透明導電薄膜表面印刷含銀漿料的電池正極，并在溫度250-400℃下刺進透明導電薄膜層。

2.根據權利要求1所述的P型雙面晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于：步驟（3）所述的氫氟酸和硝酸的混合溶液中按質量比計氫氟酸：硝酸=2:1，其中，所述氫氟酸采用5-10%的氫氟酸，所述硝酸采用5-10%的硝酸。

3.根據權利要求1所述的P型雙面晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于：該制作工藝制作出的P 型雙面晶硅太陽電池包括P型硅襯底（1）、N型硅襯底（2）、P+層（3）、氧化層（4）、氮化硅膜（5）及透明導電薄膜（6），所述P型硅襯底（1）的一側設置有N型硅襯底（2），所述P型硅襯底（1）的另一側設置有P+層（3），所述N型硅襯底（2）及P+層（3）上遠離P型硅襯底（1）的一側分別設置有所述氧化層（4），所述氮化硅膜（5）設置于臨近N型硅襯底（2）的氧化層（4）表面，所述透明導電薄膜（6）設置于臨近P+層（3）的氧化層（4）上，所述氮化硅膜（5）上還設置有電池負極（7），所述電池負極（7）刺穿達到所述N型硅襯底（2）內，所述透明導電薄膜（6）上還設有電池正極（8），所述電池正極（8）刺穿達到所述透明導電薄膜（6）內，其中：

所述的P+層（3）的材質為重摻雜硅，所述氧化層（4）為氧化硅層。

4.根據權利要求1或3所述的P型雙面晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于：所述的透明導電薄膜為ITO。

5.根據權利要求1所述的P型雙面晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于：步驟（7）的含銀漿料為低溫銀漿，燒結溫度為200-400℃。