[發(fā)明專利]一種金剛石對頂砧電學(xué)測量中不同氧逸度原位控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710954014.0
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN107796959B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代立東;吳雷;胡海英;李和平;莊毓凱;柳凱祥;孫文清;楊林飛;蒲暢;洪梅玲;劉長財(cái)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院地球化學(xué)研究所
• 主分類號: G01R1/02
• 分類號: G01R1/02
• 代理公司: 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 52100
• 代理人: 商小川

1.一種金剛石對頂砧電學(xué)測量中不同氧逸度原位控制方法，它包括：

步驟1、氧逸度緩沖環(huán)的制作；

步驟1所述的氧逸度緩沖環(huán)的制作方法包括：

步驟1.1、將金屬及其對應(yīng)金屬氧化物粉末按照化學(xué)反應(yīng)緩沖平衡方程式，進(jìn)行均勻混合；

步驟1.2、將獲得粉末混合物，借助于熱等靜壓機(jī)高壓設(shè)備，進(jìn)行熱壓燒結(jié)成型，形成圓柱體；

步驟1.3、采用電火花放電腐蝕將熱壓成型的金屬-金屬氧化物圓柱體切割成厚度為60μm的薄片；

步驟1.4、使用砂紙將薄片均勻打磨至厚度為50 μm；最后，使用激光切割機(jī)將薄片切割成環(huán)狀，作為氧逸度緩沖環(huán)，內(nèi)環(huán)半徑為80 μm，外環(huán)半徑為120 μm；

步驟2、利用氧逸度緩沖環(huán)制作絕緣復(fù)合墊片；

步驟2利用氧逸度緩沖環(huán)制作絕緣復(fù)合墊片的方法包括：

步驟2.1、選擇T301不銹鋼片或錸片作墊片材料，用金剛石對頂砧預(yù)壓，在墊片材料上由中心向外壓有金剛石砧面壓痕、金剛石壓砧倒角壓痕和金剛石壓砧側(cè)棱壓痕，利用激光打孔機(jī)在金剛石砧面壓痕同圓心處打孔，孔的直徑與氧逸度緩沖環(huán)的外徑相同并小于金剛石砧面壓痕直徑；

步驟2.2、將氧逸度緩沖環(huán)固定在同心圓孔中心并施加壓力使氧逸度緩沖環(huán)固定；

步驟2.3、將金剛石粉、立方氮化硼粉或氧化鋁粉與環(huán)氧樹脂按質(zhì)量比為4:1的比例混合，研磨均勻后填入氧逸度緩沖環(huán)的孔和所有壓痕內(nèi)，再用金剛石對頂砧同圓心加壓；

步驟2.4、利用激光在步驟2.3的金剛石砧面壓痕同圓心處打洞作為樣品腔，樣品腔的直徑小于氧逸度緩沖環(huán)的內(nèi)徑；

步驟3、在金剛石砧面進(jìn)行不同金屬-金屬氧化物的沉積，并形成電極構(gòu)型；

步驟4、通過絕緣復(fù)合墊片和在金剛石砧面不同金屬-金屬氧化物的沉積形成密閉樣品腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石對頂砧電學(xué)測量中不同氧逸度原位控制方法，其特征在于：

步驟3所述在金剛石砧面進(jìn)行不同金屬-金屬氧化物的沉積并形成電極構(gòu)型方法包括：

步驟3.1、在金剛石表面濺射一層金屬氧化物薄膜；

步驟3.2、在金屬氧化物薄膜上濺射一層金屬薄膜；

步驟3.3、利用圖形化光刻系統(tǒng)將金屬薄膜刻蝕為所需要的電極構(gòu)型。