[發(fā)明專利]晶片的加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710951990.0 | 申請日: | 2017-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN107958841B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 大山裕輔 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
提供晶片的加工方法,使全部的電極柱可靠地在晶片的背面露出。一種晶片的加工方法,該晶片在正面上形成有器件,并且埋入有在該晶片的厚度方向上延伸并從該晶片的正面到規(guī)定的深度位置的多個電極柱,其中,該晶片的加工方法具有如下的步驟:保持步驟,利用保持工作臺對晶片的正面?zhèn)冗M行保持;薄化步驟,通過對該保持工作臺所保持的晶片的背面?zhèn)冗M行加工而將該晶片薄化至規(guī)定的厚度;以及判定步驟,在實施了該薄化步驟之后,對晶片的背面進行拍攝并生成拍攝圖像,根據(jù)該拍攝圖像來判定有無未露出于該背面的電極柱,在通過該判定步驟判定為存在未露出于晶片的背面的電極柱的情況下,實施使晶片進一步薄化的追加加工步驟。
技術領域
本發(fā)明涉及由半導體等構成的晶片的加工方法。
背景技術
對在正面上形成有多個器件的大致圓板形狀的晶片進行分割而形成具有IC、LSI等器件的芯片。在該晶片的正面上在由設定為格子狀的分割預定線劃分出的多個區(qū)域內分別形成有該多個器件。在形成了多個器件之后,通過磨削裝置或研磨裝置等從背面?zhèn)葘M行加工而薄化至規(guī)定的厚度。薄化后的該晶片被切削裝置等沿著分割預定線進行切削從而分割成各個芯片。
具有器件的芯片被廣泛地搭載在移動電話、個人計算機等各種電子設備中。針對各種電子設備的小型化、薄型化的要求日漸提高,與此相伴地也對芯片的小型化、薄型化以及安裝芯片所需的面積的省面積化等進行研究。
近年來,作為提高器件的集成度的技術,實用化了堆積多個芯片而進行安裝的技術。此外,為了使堆積的多個芯片之間的電連接實現(xiàn)省空間,實用化了通過埋入到貫通芯片的孔中的貫通電極(以下,稱為電極柱)將芯片之間電連接的技術。在專利文獻1和專利文獻2中公開了利用電極柱將所層疊的芯片之間電連接的技術。
電極柱例如是通過從分割前的晶片的正面形成規(guī)定的深度的孔并在該孔中埋入導電材料而形成的。之后,在從背面對晶片進行加工而薄化時將該孔的底部去除,使埋入在該孔中的電極柱在背面?zhèn)嚷冻觥?/p>
專利文獻1:日本特開2001-53218號公報
專利文獻2:日本特開2005-136187號公報
埋入有導電材料的該孔按照與最終形成的芯片的完工厚度相同程度的深度形成,但各孔的深度存在偏差。因此,有時即使通過磨削裝置、研磨裝置或刀具切削裝置等加工裝置對具有埋入有導電材料的多個該孔的晶片的背面進行加工而使該晶片薄化至設計值,也無法將全部的孔的底部去除,一部分的電極柱不在背面?zhèn)嚷冻觥?/p>
因此,需要確認在對晶片進行了薄化時是否全部的電極柱在晶片的背面?zhèn)嚷冻觥R酝鳂I(yè)者通過目視晶片的背面來進行確認,但為此必須使晶片從實施了薄化的場所移動,進而在需要追加加工時需要使晶片返回到原來的場所,作業(yè)變得復雜。并且,產生了忽略未露出的電極柱等問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于該問題而完成的,其目的在于,提供晶片的加工方法,能夠有效地判定多個電極柱是否全部在薄化后的晶片的背面上露出。并且,提供晶片的加工方法,能夠在存在未露出的電極柱的情況下進行可靠地檢測而實施追加加工,使全部的電極柱在該背面上露出。
根據(jù)本發(fā)明的一個方式,提供晶片的加工方法,該晶片在正面上形成有器件,并且該晶片中埋入有多個電極柱,該多個電極柱在該晶片的厚度方向上延伸,并從該晶片的正面到規(guī)定的深度位置,其特征在于,該晶片的加工方法具有如下的步驟:保持步驟,利用保持工作臺對晶片的正面?zhèn)冗M行保持;薄化步驟,通過對該保持工作臺所保持的晶片的背面?zhèn)冗M行加工而將該晶片薄化至規(guī)定的厚度;以及判定步驟,在實施了該薄化步驟之后,對晶片的背面進行拍攝并生成拍攝圖像,根據(jù)該拍攝圖像來判定有無未露出于該背面的電極柱,在通過該判定步驟判定為存在未露出于晶片的背面的電極柱的情況下,實施使晶片進一步薄化的追加加工步驟。
另外,在本發(fā)明的一個方式中,也可以該判定步驟是在晶片被保持在該保持工作臺上的狀態(tài)下實施的,該追加加工步驟是在該晶片被保持在該保持工作臺上的狀態(tài)下執(zhí)行的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





