[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201710951990.0
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN107958841B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 大山裕輔
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/67
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種晶片的加工方法，該晶片在正面上形成有器件，并且該晶片中埋入有多個電極柱，該多個電極柱在該晶片的厚度方向上延伸，并從該晶片的正面到規定的深度位置，其特征在于，

該晶片的加工方法具有如下的步驟：

保持步驟，利用保持工作臺對晶片的正面側進行保持；

薄化步驟，通過利用磨削單元或研磨單元對該保持工作臺所保持的晶片的背面側進行加工而將該晶片薄化至規定的厚度；以及

判定步驟，在實施了該薄化步驟之后，對晶片的背面進行拍攝并生成拍攝圖像，根據該拍攝圖像來判定有無未露出于該背面的電極柱，

在通過該判定步驟判定為存在未露出于晶片的背面的電極柱的情況下，實施利用磨削單元或研磨單元使晶片進一步薄化的追加加工步驟。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

該判定步驟是在晶片被保持在該保持工作臺上的狀態下實施的，

該追加加工步驟是在該晶片被保持在該保持工作臺上的狀態下執行的。