[發明專利]顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201710948846.1 | 申請日: | 2017-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN107768306A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 黃北洲 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司11228 | 代理人: | 亓贏 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本申請涉及顯示領域,特別是涉及一種顯示面板及其制造方法。
背景技術
平板顯示裝置,其具有色域廣、省電等眾多優點,在各領域得到廣泛應用?,F有的平板顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD),有機發光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)顯示裝置和量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)顯示裝置。其中,薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT),可形成在玻璃基板或塑料基板上,通常作為主動開關,是平板顯示裝置的重要組成部分之一。而隨著發展,也對顯示面板及顯示裝置提出了更多、更高的要求,如抗靜電性能,部分產品由于靈敏度高,因而對主動開關等元件的抗靜電性能的要求特別高。
在TFT的生產和制造過程中,會在陣列基板中鍍上多個具有不同功能作用的膜層,而不同的膜層是在不同的機械設備和反應室中完成。在鍍膜和基板搬運的過程中,難以避免地會產生大量的靜電荷,該些靜電荷堆積于陣列基板上,當與傳送設備接觸時,會形成較大的電勢差,進而將接觸點附近的膜層擊穿,嚴重影響平板顯示面板或平板顯示裝置的質量。
發明內容
為了解決上述技術問題,本申請的目的在于,提供一種顯示面板及其制造方法,其通過選擇性地加大主動開關的柵極絕緣層的厚度,同時保持位于柵極層上的柵極絕緣層的厚度不變,可以在不影響主動開關電學等性能的前提下,提升主動開關的抗靜電能力。
本申請的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本申請提出的一種顯示面板的制造方法,包括:提供一基板;設置一柵極層于所述基板上;設置一柵極絕緣層于所述基板上,并覆蓋所述柵極層,其中,所述柵極絕緣層具有第一厚度;通過一光罩,刻蝕位于所述柵極層之上的所述柵極絕緣層,并使位于所述柵極層上的所述柵極絕緣層具有第二厚度,且所述柵極絕緣層具有一外表面;設置一半導體層于所述柵極絕緣層上;設置一源極層和一漏極層于所述半導體層上,并暴露出部分所述半導體層;其中,所述柵極絕緣層的第一厚度大于所述柵極絕緣層的第二厚度。
在本申請的一實施例中,所述柵極絕緣層的第一厚度介于到之間。
在本申請的一實施例中,所述柵極絕緣層的第二厚度介于到之間。
在本申請的一實施例中,刻蝕后的所述柵極絕緣層的外表面為一平坦面。
在本申請的一實施例中,所述光罩為半色調光罩或灰階光罩。
在本申請的一實施例中,更包括:設置一鈍化層于所述基板上,所述鈍化層覆蓋所述源極層,所述漏極層及所述半導體層。
本申請的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
本申請的另一目的為一種顯示面板,包括:一基板;一柵極層,設置于所述基板上;一柵極絕緣層,設置于所述基板上,并覆蓋所述柵極層,其中,位于所述柵極層上的部分所述柵極絕緣層具有第二厚度,位于所述基板上的另一部分所述柵極絕緣層具有第一厚度,且所述柵極絕緣層具有一外表面;一半導體層,設置于所述柵極絕緣層上;一源極層和一漏極層,設置于所述半導體層上,并暴露出部分所述半導體層;一鈍化層,設置于所述基板上,所述鈍化層覆蓋所述源極層,所述漏極層及所述半導體層;其中,所述柵極絕緣層的第一厚度大于所述柵極絕緣層的第二厚度,且所述柵極絕緣層的外表面為一平坦面。
在本申請的一實施例中,所述柵極絕緣層的第一厚度介于到之間。
在本申請的一實施例中,所述柵極絕緣層的第二厚度介于到之間。
本申請的又一目的為一種顯示面板的制造方法,包括:提供一基板;設置一柵極層于所述基板上;設置一柵極絕緣層于所述基板上,并覆蓋所述柵極層,其中,所述柵極絕緣層具有第一厚度;通過一光罩,刻蝕位于所述柵極層之上的所述柵極絕緣層,并使位于所述柵極層上的所述柵極絕緣層具有第二厚度,且所述柵極絕緣層具有一外表面;設置一半導體層于所述柵極絕緣層上;設置一源極層和一漏極層于所述半導體層上,并暴露出部分所述半導體層;設置一鈍化層于所述基板上,所述鈍化層覆蓋所述源極層,所述漏極層及所述半導體層;其中,所述第一厚度為所述第二厚度為
本申請通過選擇性地加大主動開關的柵極絕緣層的厚度,同時保持位于柵極層上的柵極絕緣層的厚度不變,可以在不影響主動開關電學等性能的前提下,提升主動開關的抗靜電能力。
附圖說明
圖1為范例性的顯示面板示意圖。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





