[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710948846.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107768306A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃北洲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11228 | 代理人: | 亓贏 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
設(shè)置一柵極層于所述基板上;
設(shè)置一柵極絕緣層于所述基板上,并覆蓋所述柵極層,其中,所述柵極絕緣層具有第一厚度;
通過一光罩,刻蝕位于所述柵極層之上的所述柵極絕緣層,并使位于所述柵極層上的所述柵極絕緣層具有第二厚度,且所述柵極絕緣層具有一外表面;
設(shè)置一半導(dǎo)體層于所述柵極絕緣層上;
設(shè)置一源極層和一漏極層于所述半導(dǎo)體層上,并暴露出部分所述半導(dǎo)體層;
其中,所述柵極絕緣層的第一厚度大于所述柵極絕緣層的第二厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述柵極絕緣層的第一厚度介于到之間。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述柵極絕緣層的第二厚度介于到之間。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,刻蝕后的所述柵極絕緣層的外表面為一平坦面。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述光罩為半色調(diào)光罩或灰階光罩。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,更包括:設(shè)置一鈍化層于所述基板上,所述鈍化層覆蓋所述源極層,所述漏極層及所述半導(dǎo)體層。
7.一種顯示面板,其特征在于,包括:
一基板;
一柵極層,設(shè)置于所述基板上;
一柵極絕緣層,設(shè)置于所述基板上,并覆蓋所述柵極層,其中,位于所述柵極層上的部分所述柵極絕緣層具有第二厚度,位于所述基板上的另一部分所述柵極絕緣層具有第一厚度,且所述柵極絕緣層具有一外表面;
一半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述柵極絕緣層上;
一源極層和一漏極層,設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上,并暴露出部分所述半導(dǎo)體層;
一鈍化層,設(shè)置于所述基板上,所述鈍化層覆蓋所述源極層,所述漏極層及所述半導(dǎo)體層;
其中,所述柵極絕緣層的第一厚度大于所述柵極絕緣層的第二厚度,且所述柵極絕緣層的外表面為一平坦面。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述柵極絕緣層的第一厚度介于到之間。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述柵極絕緣層的第二厚度介于到之間。
10.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
設(shè)置一柵極層于所述基板上;
設(shè)置一柵極絕緣層于所述基板上,并覆蓋所述柵極層,其中,所述柵極絕緣層具有第一厚度;
通過一光罩,刻蝕位于所述柵極層之上的所述柵極絕緣層,并使位于所述柵極層上的所述柵極絕緣層具有第二厚度,且所述柵極絕緣層具有一外表面;
設(shè)置一半導(dǎo)體層于所述柵極絕緣層上;
設(shè)置一源極層和一漏極層于所述半導(dǎo)體層上,并暴露出部分所述半導(dǎo)體層;
設(shè)置一鈍化層于所述基板上,所述鈍化層覆蓋所述源極層,所述漏極層及所述半導(dǎo)體層;
其中,所述第一厚度為所述第二厚度為
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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