[發明專利]一種提升三層憶阻器寫性能的編解碼方法

有效

• 申請號: 201710945046.4
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107622781B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 童薇;馮丹;劉景寧;徐潔;李春艷
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 廖盈春;李智

1.一種提升三層憶阻器寫性能的編解碼方法，其特征在于，所述編碼方法包括：

(1)將寫入的緩存行數據使用壓縮算法進行壓縮；

(2)根據壓縮以后的緩存行數據大小計算壓縮率；

(3)若壓縮率小于壓縮閾值，則不對數據進行IDM編碼，否則根據具體的壓縮率確定數據使用IDM編碼的方式；所述編碼方法的步驟(3)包括：

(31)根據緩存行數據的壓縮率選擇編碼方式：

壓縮閾值為1.2，若緩存行數據的壓縮率在[1,1.2)之間，則不進行IDM編碼，對應的IDM編碼標志單元的阻值狀態設為S2；

若緩存行數據的壓縮率在[1.2,1.5)之間，則選擇IDM((8,6),2)編碼方式，對應的IDM編碼標志單元的阻值狀態設為S6；

若緩存行數據的壓縮率在[1.5,2)之間，則選擇IDM((8,4),1)編碼方式，對應的IDM編碼標志單元的阻值狀態設為S1；

若緩存行數據的壓縮率在[2,3)之間，則選擇IDM((8,3),2)編碼方式，對應的IDM編碼標志單元的阻值狀態設為S0；

若緩存行數據的壓縮率在[3,16.25]之間，則選擇IDM((8,2),1)編碼方式，對應的IDM編碼標志單元的阻值狀態設為S7；

(32)使用對應的IDM編碼方式對壓縮以后的緩存行數據和壓縮標志位組合成的數據進行編碼；

(4)將使用IDM編碼后的數據或沒有使用IDM編碼的數據寫入到TLC RRAM單元中。

2.根據權利要求1所述的一種提升三層憶阻器寫性能的編解碼方法，其特征在于，所述編碼方法的步驟(1)包括：

(11)將每個緩存行數據以字為單位進行分組；

(12)使用壓縮算法對每個字進行壓縮，并記錄壓縮后每個字的大小，每個字對應一個壓縮標志位，壓縮標志位記錄字是否能被壓縮；

(13)將壓縮后的字連續存放。

3.根據權利要求1或2所述的一種提升三層憶阻器寫性能的編解碼方法，其特征在于，所述壓縮算法為FPC壓縮算法。

4.根據權利要求1所述的一種提升三層憶阻器寫性能的編解碼方法，其特征在于，所述編碼方法的步驟(2)包括：

(21)將緩存行中每個壓縮后的字的大小相加得到壓縮后緩存行的位數C；

(22)計算壓縮率R為：

R＝(CO+T)/(C+T)

其中，CO表示壓縮前緩存行的位數；T表示壓縮標志位的位數。

5.根據權利要求1所述的一種提升三層憶阻器寫性能的編解碼方法，其特征在于，所述編碼方法的步驟(4)包括：

(41)對于不進行IDM編碼的緩存行數據，將對應的IDM編碼標志位、壓縮標志位和沒有進行IDM編碼的緩存行數據連續存放后寫入到對應的物理單元中；進入步驟(43)；

(42)對于進行IDM編碼的緩存行數據，將對應的IDM編碼標志位、壓縮標志位和進行IDM編碼后的緩存行數據連續存放后寫入到對應的TLC RRAM單元中；進入步驟(43)；

(43)寫入數據前判斷是否有TLC RRAM單元中存儲的舊數據和將寫入的新數據一樣，若有則該TLC RRAM單元不需要執行寫操作。