[發(fā)明專利]芯片封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710942240.7 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN108615721A | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江永平;江佾澈;吳念芳;蕭閔謙;史朝文;張守仁;劉重希;余振華 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66;H01L23/31;H01L21/50;H01Q1/22;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;王芝艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片封裝 半導體晶粒 第二保護層 第一保護層 導電元件 天線元件 電性連接 包圍 | ||
提供一種芯片封裝的結(jié)構(gòu)及其形成方法。芯片封裝包括具有導電元件的半導體晶粒以及包圍半導體晶粒的第一保護層。芯片封裝亦包含位于半導體晶粒及第一保護層之上的第二保護層。芯片封裝進一步包含位于第二保護層之上的天線元件。天線元件與半導體晶粒的導電元件電性連接。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例有關(guān)于一種芯片封裝,特別是關(guān)于具備天線元件的芯片封裝的結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)
半導體裝置被使用于多樣的電子應(yīng)用中,例如個人電腦、手機、數(shù)碼相機及其他電子裝置。制造半導體裝置包括在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層、導電層、及半導體層,以及利用光微影制程及蝕刻制程將不同材料層圖案化以在半導體基板上形成電路組件及元件。
半導體工業(yè)通過持續(xù)降低特征尺寸的最小尺寸,使得更多組件可被整合至給定的面積中,而持續(xù)增進不同電子組件(例如,晶體管、二極管、電阻、電容等)的整合電路密度。輸出及輸入(I/O)的連接數(shù)目顯著地增加。為了封裝這樣的半導體裝置,于是發(fā)展出小型封裝結(jié)構(gòu),其使用較小的面積或是具有較低的高度。
為了增進半導體裝置的密度及功能性,發(fā)展出了新的封裝技術(shù)。這些較新的半導體裝置封裝技術(shù)面臨制造上的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一些實施例,一種芯片封裝包括:半導體晶粒,其具有導電元件;第一保護層,包圍半導體晶粒;第二保護層,在半導體晶粒及第一保護層之上;及天線元件,在第二保護層之上,其中天線元件電性連接至半導體晶粒的導電元件。
根據(jù)又一些實施例,一種形成芯片封裝的方法包括:在支撐基板上形成天線元件;在支撐基板及天線元件上形成第一保護層;在第一保護層上設(shè)置半導體晶粒;在第一保護層形成第二保護層以包圍半導體晶粒;及在半導體晶粒的導電元件及天線元件之間形成電性連接。
根據(jù)另一些實施例,一種形成芯片封裝的方法包括:在支撐基板上形成第一導電特征;在支撐基板上設(shè)置半導體晶粒;在支撐基板上形成第一保護層以圍繞半導體晶粒及第一導電特征;以第二保護層取代支撐基板;在第二保護層上形成天線元件;及在半導體晶粒的導電元件與天線元件之間形成電性連接。
附圖說明
以下將配合所附附圖詳述本發(fā)明的實施例。應(yīng)注意的是,依據(jù)在業(yè)界的標準做法,各種特征并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上,可能任意地放大或縮小元件的尺寸,以清楚地表現(xiàn)出本發(fā)明的特征。
圖1A-1J是根據(jù)一些實施例的形成芯片封裝過程中不同步驟的剖面圖。
圖2是根據(jù)一些實施例的芯片封裝的剖面圖。
圖3是根據(jù)一些實施例的芯片封裝的剖面圖。
圖4是根據(jù)一些實施例的芯片封裝剖面圖。
圖5A-5J是根據(jù)一些實施例的形成芯片封裝過程中不同步驟的剖面圖。
圖6A-6E是根據(jù)一些實施例的形成芯片封裝過程中不同步驟的剖面圖。
圖7A-7D是根據(jù)一些實施例的形成芯片封裝過程中不同步驟的剖面圖。
圖8A-8C是根據(jù)一些實施例的形成芯片封裝過程中不同步驟的剖面圖。
圖9是根據(jù)一些實施例的芯片封裝的天線的俯視圖。
【符號說明】
100~支撐基板
100a~主要表面
102~鈍化層
102a~頂端表面
104~天線元件
104A、104B、104C、104D、104E、104F~天線元件
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710942240.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





