[發(fā)明專利]一種陶瓷產(chǎn)品的粗拋光工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710942166.9
• 申請(qǐng)日: 2017-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN109648404A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 饒橋兵;陳平山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 藍(lán)思科技（長(zhǎng)沙）有限公司
• 主分類號(hào): B24B1/00
• 分類號(hào): B24B1/00;B24B29/02;B24B57/02
• 代理公司: 長(zhǎng)沙七源專利代理事務(wù)所(普通合伙) 43214
• 代理人: 歐穎;吳婷

本發(fā)明提供了一種陶瓷產(chǎn)品的粗拋光工藝，本工藝采用雙面拋光機(jī)，至少包括將陶瓷產(chǎn)品裝夾放置在下拋光盤上，上、下拋光盤的表面粘貼有含氧化鈰的聚氨酯研磨墊；控制上拋光盤下移至與下拋光盤緊貼陶瓷產(chǎn)品的上、下表面；控制上、下拋光盤反向轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)注入多晶鉆石液；通過研磨墊對(duì)陶瓷產(chǎn)品上、下表面同時(shí)拋光。本發(fā)明工藝粗拋后的產(chǎn)品沒有銅盤印，TTV為2?3um，后續(xù)只需45min就可完成精拋；加工去處速率可以達(dá)到2um/min，相對(duì)銅盤效率提升二倍；同時(shí)采用本發(fā)明的工藝在修盤的時(shí)候只需用普通的修正輪直接放進(jìn)去對(duì)聚氨酯研磨墊進(jìn)行修整，該修盤工藝普通的工人就可操作，方便簡(jiǎn)單，且修盤時(shí)間只需要3?5分鐘。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及陶瓷產(chǎn)品拋光技術(shù)領(lǐng)域，特別地，涉及一種陶瓷產(chǎn)品的粗拋光工藝。

背景技術(shù)

氧化鋯材料有多種優(yōu)異性能，特別是具有增韌的作用，因而被作為韌性陶瓷廣泛應(yīng)用，它具有高韌性、高的抗強(qiáng)度、高的硬度和耐磨性等特點(diǎn)，更顯示出應(yīng)用的廣泛性，它在機(jī)械、電子、石油、化工、航天、紡織、精密測(cè)量?jī)x器、精密機(jī)床、生物工程和醫(yī)療器械等行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用前景，用于智能手機(jī)后蓋、手表外殼也日益普及，隨著5G手機(jī)的即將到來及充電技術(shù)逐漸普及，金屬機(jī)身因信號(hào)屏蔽問題正逐步被非金屬機(jī)身代替。相比金屬與玻璃材質(zhì)，陶瓷材料具有外觀出色、質(zhì)感細(xì)膩、硬度高、耐磨抗刮性強(qiáng)、電瓷屏蔽性及散熱性能優(yōu)異等特點(diǎn)，陶瓷機(jī)殼的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)凸顯，卻未能大規(guī)模放量主因是成本高，產(chǎn)能不足。

目前對(duì)氧化鋯陶瓷手機(jī)蓋板粗拋光工藝均是采用雙面銅盤粗拋的工藝，但采用雙面銅盤拋光加工的產(chǎn)品有以下缺點(diǎn)：產(chǎn)品表面有很深的銅盤印、產(chǎn)品TTV相差在5um以上，精拋需拋120min才能拋掉；銅盤的去除速率是0.67um/min，加工一盤工件需1h；銅盤在使用3-5天后需修盤，需用專用車刀和專業(yè)修盤技術(shù)人員才能操作，且修一次盤，上盤需4小時(shí)，下盤需4小時(shí)，修盤后需清理銅粉和打磨盤面，花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng)；銅盤在加工時(shí)熱脹冷縮容易變形，做出的產(chǎn)品平整度不穩(wěn)定，對(duì)粗拋的效率、成本和品質(zhì)均不理想。

因此，為了滿足陶瓷產(chǎn)品的發(fā)展要求，需要改善陶瓷產(chǎn)品的粗拋光工藝來獲得高平整度、高亮度的表面，減少粗拋對(duì)產(chǎn)品大面產(chǎn)生的痕跡、厚薄不均等情況，使得拋光的產(chǎn)品平整度好、亮度高且拋光效率高、成本低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于一種陶瓷產(chǎn)品的粗拋光工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用陶盤粗拋對(duì)陶瓷產(chǎn)品表面產(chǎn)生痕跡、厚薄不均以及粗拋效率不高、成本高的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種陶瓷產(chǎn)品的粗拋光工藝，所述粗拋光工藝在雙面拋光機(jī)上完成，至少包括以下步驟：

步驟A、將陶瓷產(chǎn)品裝夾放置在雙面拋光機(jī)的下拋光盤上，所述雙面拋光機(jī)的上、下拋光盤的表面粘貼有研磨墊用于對(duì)陶瓷產(chǎn)品表面進(jìn)行拋光，所述研磨墊采用含氧化鈰的聚氨酯研磨墊；

步驟B、控制上拋光盤下移至與下拋光盤緊貼陶瓷產(chǎn)品的上、下表面；

步驟C、控制上、下拋光盤反向轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)注入多晶鉆石液；通過聚氨酯研磨墊對(duì)陶瓷產(chǎn)品上、下表面同時(shí)拋光。

多晶鉆石表面粗糙，研磨過程中與工件間存在大量接觸點(diǎn)，有效提高研磨效率；多晶鉆石具有自銳性，可保持高磨削速率；對(duì)比單晶鉆石，多晶鉆石能最大程度減少異常劃傷。含氧化鈰的聚氨酯研磨墊的硬度比較大，配合多晶鉆石液可以大大提升研磨效率，同時(shí)還增加了多晶鉆石液的耐磨性能。類多晶鉆石屬于多晶鉆石中的一種，因此類多晶鉆石液同樣適用于本發(fā)明的工藝。

特別地，所述聚氨酯研磨墊的硬度不小于97A，且所述聚氨酯研磨墊中氧化鈰的質(zhì)量百分比不少于60％。

特別地，所述多晶鉆石液中多晶鉆石微粉的粒徑不小于18um。

特別地，步驟C中對(duì)上盤加壓的壓力不小于200g/cm²，上盤的轉(zhuǎn)速為大于0至15rpm，下盤轉(zhuǎn)速為10rpm-45rpm，多晶鉆石液的流速為10ml/min-55ml/min。