[發明專利]一種陶瓷產品的粗拋光工藝在審
| 申請號: | 201710942166.9 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN109648404A | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 饒橋兵;陳平山 | 申請(專利權)人: | 藍思科技(長沙)有限公司 |
| 主分類號: | B24B1/00 | 分類號: | B24B1/00;B24B29/02;B24B57/02 |
| 代理公司: | 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 歐穎;吳婷 |
| 地址: | 410311 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷產品 拋光盤 研磨墊 粗拋光 聚氨酯 下表面 銅盤 雙面拋光機 表面粘貼 反向轉動 含氧化鈰 效率提升 可操作 修正輪 拋光 粗拋 多晶 精拋 下移 裝夾 修整 緊貼 鉆石 加工 | ||
1.一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,所述粗拋光工藝在雙面拋光機上完成,至少包括以下步驟:
步驟A、將陶瓷產品裝夾放置在雙面拋光機的下拋光盤上,所述雙面拋光機的上、下拋光盤的表面粘貼有研磨墊用于對陶瓷產品表面進行拋光,所述研磨墊采用含氧化鈰的聚氨酯研磨墊;
步驟B、控制上拋光盤下移至與下拋光盤緊貼陶瓷產品的上、下表面;
步驟C、控制上、下拋光盤反向轉動,同時注入多晶鉆石液;通過聚氨酯研磨墊對陶瓷產品上、下表面同時拋光。
2.根據權利要求1所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,所述聚氨酯研磨墊的硬度不小于97A,且所述聚氨酯研磨墊中氧化鈰的質量百分比不少于60%。
3.根據權利要求1所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,所述多晶鉆石液中多晶鉆石微粉的粒徑不小于18um。
4.根據權利要求1所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,步驟C中對上盤加壓的壓力不小于200g/cm2,上盤的轉速為大于0至15rpm,下盤轉速為10rpm-45rpm,多晶鉆石液的流速為10ml/min-55ml/min。
5.根據權利要求4所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,所述步驟C中上盤的壓力具體為由30g/cm2以下逐步遞增至200g/cm2-300g/cm2,下盤轉速由10rpm以下逐步遞增。
6.根據權利要求1所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,在所述步驟A裝夾待拋光陶瓷產品之前,還包括對研磨墊進行修整的過程,所述修整包括使用含青銅和金鋼石的平盤狀修正輪對研磨墊進行修整,修整時上下面均平整的修正輪放入上下拋光盤之間,修整時對上拋光盤加壓至200g/cm2-600g/cm2,并控制上拋光盤的轉速為15rpm-30rpm。
7.根據權利要求6所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,在所述步驟C之后也包括對研磨墊進行修整的步驟。
8.根據權利要求6所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,所述修正輪中金剛石的粒度為800-1000目,修盤時間為15min-30min。
9.根據權利要求1所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,所述拋光盤采用球墨鑄鐵盤。
10.根據權利要求1所述的一種陶瓷產品的粗拋光工藝,其特征在于,在所述步驟C中溫度控制小于45℃。
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