[發(fā)明專利]一種批量校準電流偵測的裝置及方法

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• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN107817460A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發(fā)明（設計）人: 茍昌華;王武軍
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司37105
• 代理人: 王汝銀

技術領域

本發(fā)明涉及板卡測試技術領域，具體的說是一種對VR電流偵測進行批量校準的裝置及方法。

背景技術

在服務器研發(fā)設計及生產過程中，需要對板卡芯片進行多項測試，隨著芯片集成度的提高，芯片所需電流不斷提升，為了進一步降低芯片的總功耗，需要芯片的工作電壓不斷降低。同時，由于芯片集成的晶體管越來越多，導致其所需電流的動態(tài)變化速度也越來越快，變化幅值越來越大。上述狀況的出現，導致電壓調節(jié)器VR調節(jié)PWM信號難度的增加，因此，為了提升電壓調節(jié)器對負載的響應速度，需要VR對負載電流進行偵測。

目前，VR電流偵測方法主要有兩種：一是偵測輸出電感DCR，二是偵測MOSFET的Rds(On)。但是，上述現有技術只能針對單一板卡，而且要在實驗室內完成校準，無法將校準的參數應用到量產的大量板卡上，，如果對量產板卡都進行逐一校準，既費時又費力，還可能對板卡造成破壞。

發(fā)明內容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種批量校準電流偵測的裝置及方法，利用服務器的基板管理控制器制負載芯片的狀態(tài)，實現VR電流偵測的批量校準，省時省力。

本發(fā)明解決其技術問題采取的技術方案是：

本發(fā)明實施例提供了一種批量校準電流偵測的裝置，包括：

基板管理控制器，分別與電壓調節(jié)器和負載芯片連接，用來向電壓調節(jié)器讀取并寫入數據，以及控制負載芯片的工作狀態(tài)；

電壓調節(jié)器，分別與基板管理控制器和負載芯片連接，用以對負載芯片的負載電流進行偵測，并存儲基板管理控制器寫入的數據。

進一步的，所述基板管理控制器內設有若干寄存器，所述的寄存器分別對應負載芯片和電壓調節(jié)器，并顯示負載芯片的工作狀態(tài)狀態(tài)，以及電壓調節(jié)器的偵測數據。

進一步的，基板管理控制器寫入電壓調節(jié)器的數據包括修正參數，用以作為電壓調節(jié)器校準的基準值。

進一步的，所述修正參數包括第一修正參數和第二修正參數，第一修正參數用以對電流偵測初始值進行絕對值校準，第二修正參數用以對電流偵測初始值放大倍數進行校準。

進一步的，本發(fā)明還提供一種電流偵測批量校準的方法，包括以下步驟：

S1：通過負載芯片對實驗室板卡的電壓調節(jié)器電流偵測進行校準，獲取原始校準數據；

S2：將原始校準數據寫入量產板卡的基板管理控制器中；

S3：基板管理控制器讀取量產板卡的負載電流，獲取實時校準數據；

S4：基板管理控制器利用原始校準數據和實時校準數據計算出修正參數；

S5：基板管理控制器將修正參數寫入電壓調節(jié)器內。

進一步的，步驟S1的具體實現過程為：

S11：關斷負載芯片的負載，測量負載芯片的無負載電流值；

S12：給負載芯片兩端施加電壓，測量負載芯片的壓力電流值；

S13：將步驟S11中獲取無負載電流值和步驟S12中獲取的壓力電流值合并為原始校準數據。

進一步的，步驟S3的具體實現過程為：

S31：基板管理控制器關斷負載芯片的負載，讀取負載芯片的無負載電流值；

S32：基板管理控制器給負載芯片兩端施加電壓，讀取負載芯片的壓力電流值；

S33：基板管理控制器將步驟S31中獲取無負載電流值和步驟S32中獲取的壓力電流值合并為實時校準數據。

進一步的，步驟S4的具體實現過程為：

S41：基板管理控制器依據原始校準數據，得出理想偵測線：y₁＝k₁x+b₁；

S42：基板管理控制器依據實時校準數據，得出測試偵測線：y₂＝k₂x+b₂；

S43：計算第一修正參數b＝b₂-b₁；

S44：計算第二修正參數由k＝k₂/k₁。

本發(fā)明的有益效果是：

1、本發(fā)明提供的批量校準電流偵測的裝置，使得技術人員可以對量產的大批板卡進行校準，省時省力，提高了板卡的生產效率。

2、本發(fā)明通過由基板管理器控制負載芯片及讀取處理偵測電流的方法，將修正參數永久寫入電壓調節(jié)器內部，在自動校準的基礎上避免了輸出電感DCR、MOSFET的Rds或外圍電路的誤差導致的電流偵測不準。

附圖說明

圖1是本發(fā)明校準結構示意圖；