[發明專利]半導體器件有效
| 申請號: | 201710941260.2 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN108630277B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 權奇薰;金溶美;金載鎰 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/24;G11C16/08 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人: | 毋二省;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,包括:
錯誤計數信號發生電路,被配置成當被選擇用來執行錯誤刷洗操作的單元的出錯數據的數量等于具有單個預定值的單個預定數量時產生錯誤計數信號;以及
脈沖選擇電路,被配置成響應于脈沖選擇信號而輸出臨界錯誤脈沖或行臨界錯誤脈沖作為選中的錯誤脈沖,其中,當在錯誤刷洗操作期間選中的單元的出錯數據的數量等于所述具有單個預定值的單個預定數量時,每當檢測到額外的出錯數據時臨界錯誤脈沖被產生,以及其中,當在錯誤刷洗操作期間選中的單元的出錯數據的數量等于所述具有單個預定值的單個預定數量時,每當針對每個行路徑檢測到額外的出錯數據時行臨界錯誤脈沖被產生。
2.如權利要求1所述的半導體器件,其中,所述預定數量根據設置碼來設定。
3.如權利要求1所述的半導體器件,
其中,錯誤計數信號發生電路被配置成響應于預充電模式信號和錯誤標志而產生錯誤計數信號;
其中,預充電模式信號同步于選中的單元中的每個選中的單元的錯誤刷洗操作終止的時間點而被使能;以及
其中,如果出錯數據被包括在被選擇用于錯誤刷洗操作的單元中,則錯誤標志被使能。
4.如權利要求1所述的半導體器件,其中,錯誤計數信號發生電路包括:
設置脈沖發生電路,被配置成:如果與選中的單元包括出錯數據時被計數的錯誤碼相對應的出錯數據的數量等于所述預定數量,則產生設置脈沖;以及
錯誤輸出鎖存電路,被配置成同步于設置脈沖和復位脈沖而產生錯誤計數信號。
5.如權利要求4所述的半導體器件,其中,設置脈沖發生電路包括:
錯誤碼發生電路,被配置成產生錯誤碼;
比較電路,被配置成將錯誤碼與設置碼相比較以產生比較信號;以及
設置脈沖輸出電路,被配置成響應于比較信號而產生設置脈沖。
6.如權利要求4所述的半導體器件,其中,復位脈沖在全部單元的錯誤刷洗操作被執行之后產生。
7.如權利要求4所述的半導體器件,其中,錯誤計數信號發生電路還包括:
第一錯誤脈沖發生電路,被配置成響應于預充電模式信號和錯誤標志而產生第一錯誤脈沖;以及
第二錯誤脈沖發生電路,被配置成響應于錯誤計數信號和第一錯誤脈沖而產生第二錯誤脈沖。
8.如權利要求1所述的半導體器件,其中,行錯誤控制電路還包括鎖存信息發生電路,鎖存信息發生電路被配置成輸出同步于選中的錯誤脈沖而被計數的鎖存信息信號。
9.如權利要求8所述的半導體器件,其中,行錯誤控制電路還包括信息儲存電路,信息儲存電路被配置成同步于儲存控制脈沖而儲存鎖存信息信號。
10.如權利要求1所述的半導體器件,其中,行錯誤控制電路還包括:
標志檢測脈沖發生電路,被配置成響應于錯誤標志而產生標志檢測脈沖;以及
臨界錯誤脈沖發生電路,被配置成響應于標志檢測脈沖和錯誤計數信號而產生臨界錯誤脈沖。
11.如權利要求1所述的半導體器件,其中,行錯誤控制電路還包括:
地址檢測脈沖發生電路,被配置成響應于錯誤刷洗列地址而產生地址檢測脈沖;以及
鎖存臨界錯誤脈沖發生電路,被配置成響應于地址檢測脈沖和反相臨界錯誤脈沖而產生鎖存臨界錯誤脈沖。
12.如權利要求1所述的半導體器件,還包括行錯誤信息儲存電路,行錯誤信息儲存電路被配置成利用錯誤刷洗操作來檢測行路徑之中的呈現最多出錯數據的一個行路徑,以及被配置成儲存關于檢測到的行路徑的信息以及關于連接到檢測到的行路徑的單元的出錯數據的數量的信息。
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