[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710940712.5
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN107689389B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金剛鉉;梁基燮;崔大正;崔乘烈;金漢熙;樸璟鎮(zhèn)
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括第一基板，其包括顯示區(qū)域，其中，在顯示區(qū)域中限定有多個(gè)像素區(qū)域；第一電極，所述第一電極位于第一基板之上并且位于多個(gè)像素區(qū)域中的每一個(gè)中；第一環(huán)岸，所述第一環(huán)岸位于第一電極的邊緣上并且包括用于阻擋光的穿過的絕緣材料；第二環(huán)岸，所述第二環(huán)岸位于所述第一環(huán)岸上并且包括具有疏水性質(zhì)的絕緣材料；位于第一電極以及第一環(huán)岸的一部分上的有機(jī)發(fā)光層；以及第二電極，所述第二電極位于所述有機(jī)發(fā)光層上并且覆蓋顯示區(qū)域的整個(gè)表面。

本申請是申請日為2013年12月20日、申請?zhí)枮?01310712007.1、發(fā)明名稱為“有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，其可以被稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，本公開涉及具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸的OLED顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

新的平板顯示裝置的OLED顯示裝置具有高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓。OLED顯示裝置是自發(fā)光類型并且具有優(yōu)異的視角、對比度、響應(yīng)時(shí)間等等的特性。

因此，OLED顯示裝置廣泛地用于電視、監(jiān)視器、移動(dòng)電話等等。

OLED顯示裝置包括陣列元件和有機(jī)發(fā)光二極管。陣列元件包括連接到選通線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)、連接到開關(guān)TFT的驅(qū)動(dòng)TFT和連接到驅(qū)動(dòng)TFT的電源線。有機(jī)發(fā)光二極管包括連接到驅(qū)動(dòng)TFT的有機(jī)發(fā)光二極管，并且進(jìn)一步包括有機(jī)發(fā)光層和第二電極。

在OLED顯示裝置中，來自有機(jī)發(fā)光層的光通過第一電極或第二電極以顯示圖像。其中光通過第二電極的頂發(fā)射型OLED顯示裝置在開口率方面存在優(yōu)點(diǎn)。

一般來說，利用蔭罩通過熱沉積方法形成有機(jī)發(fā)光層。然而，由于蔭罩隨著顯示裝置的尺寸的增大而變大使得蔭罩下垂。結(jié)果，在較大的顯示裝置中的沉積均勻性方面存在問題。另外，由于在使用蔭罩的熱沉積方法中生成遮蔽效果，因此，難以制造高分辨率(例如，250PPI(每英寸像素)以上)的OLED顯示裝置。

因此，已經(jīng)提出了一種替代利用蔭罩的熱沉積方法的新方法。

在該新方法中，利用液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備將液相有機(jī)發(fā)光材料噴射或滴落在由壁圍繞的區(qū)域中并且進(jìn)行固化以形成有機(jī)發(fā)光層。

圖1A至圖1C是示出制造OLED顯示裝置的步驟中的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置的示意性截面圖并且示出了形成環(huán)岸并且通過噴射或滴落液相有機(jī)發(fā)光材料形成有機(jī)發(fā)光層的步驟。

為了利用液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備來噴射或滴落液相有機(jī)發(fā)光材料，需要形成在第一電極上并且圍繞像素區(qū)域的環(huán)岸以防止液相有機(jī)發(fā)光材料溢流到鄰近的像素區(qū)域中。因此，在形成有機(jī)發(fā)光層之前在第一電極的邊緣上形成環(huán)岸。

這時(shí)，環(huán)岸由具有疏水性質(zhì)的材料形成。疏水環(huán)岸防止了具有親水性質(zhì)的液相有機(jī)發(fā)光材料形成在環(huán)岸上并由于液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備的錯(cuò)位或有機(jī)發(fā)光材料的過量而導(dǎo)致溢流到鄰近的像素區(qū)域中。

如圖1A中所示，環(huán)岸可以由掩蔽處理形成，掩蔽處理包括在具有疏水性質(zhì)的有機(jī)絕緣材料被施加到其上第一電極50形成在各像素區(qū)域P處的基板10的整個(gè)表面之后使用暴露掩模91的曝光步驟以及顯影步驟。

這里，使用暴露掩模91的曝光步驟可以包括照射幾百mW/cm²的高勒克斯UV光。

隨著顯示裝置的尺寸的增大，顯示裝置的基板更大，并且由于不能夠一次將整個(gè)大尺寸基板暴露給光而在大尺寸基板上執(zhí)行掃描型曝光。