[發明專利]有機發光二極管顯示裝置

有效

• 申請號: 201710940712.5
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN107689389B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 金剛鉉;梁基燮;崔大正;崔乘烈;金漢熙;樸璟鎮
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種有機發光二極管顯示裝置，該有機發光二極管顯示裝置包括：

第一基板；

多條選通線和多條數據線，所述多條選通線和所述多條數據線彼此交叉以限定顯示區域中的多個像素區域；

薄膜晶體管TFT，所述薄膜晶體管位于所述第一基板上并且位于所述多個像素區域中的每一個中；

第一電極，所述第一電極具有位于所述薄膜晶體管上的第一邊緣部、第二邊緣部和中心部；

環岸，所述環岸被設置在所述第一電極的所述第一邊緣部和所述第二邊緣部上；

有機發光層，所述有機發光層包括依次堆疊的空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發光材料層EML和電子傳輸層ETL，所述有機發光層包括具有第一高度的中心區域以及位于所述第一電極的所述第一邊緣部和所述第二邊緣部上的具有第二高度的邊緣區域；以及

第二電極，所述第二電極位于所述有機發光層上，

其中，所述有機發光層的中心區域與所述第一電極的中心部接觸，并且所述有機發光層的邊緣區域與所述環岸的側表面接觸，

其中，所述環岸包括第一環岸和位于所述第一環岸上的第二環岸，并且其中，所述第一環岸具有第一寬度，并且所述第二環岸具有小于所述第一寬度的第二寬度，

其中，所述第一環岸包括遮光材料，并且接觸所述第一電極和所述第二環岸，并且

其中，通過在所述第一環岸和所述第一電極上形成環岸材料層之后利用UV光執行曝光步驟來形成所述第二環岸，并且所述第一環岸阻止所述UV光的穿過，以使得在所述有機發光層與所述第一電極的中心部之間不存在環岸材料的殘留物。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一高度小于所述第二高度。

3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第二邊緣部與所述數據線的邊緣相鄰，并且所述第一電極的所述第一邊緣部連接到所述薄膜晶體管。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第二邊緣部上的所述環岸的寬度比所述第一邊緣部上的所述環岸的寬度窄。

5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第二邊緣部上的所述環岸與所述數據線交疊，并且所述第一電極的所述第一邊緣部上的所述環岸與所述薄膜晶體管交疊。

6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第二邊緣部上的所述環岸完全地覆蓋所述數據線。

7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管包括開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管，所述開關薄膜晶體管連接到所述多條選通線中的一條和所述多條數據線中的一條，所述驅動薄膜晶體管連接到所述開關薄膜晶體管，并且其中，所述第一電極的所述第一邊緣部連接到所述驅動薄膜晶體管。

8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管中的每一個包括柵電極、半導體層、源電極和漏電極。

9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述半導體層包含氧化物半導體、非晶硅和多晶硅中的一種。

10.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管的所述半導體層包括氧化物半導體層。

11.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管的所述半導體層包括氧化物半導體層或多晶硅半導體層。

12.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管中的每一個還包括覆蓋所述半導體層的中部的蝕刻停止層，并且其中，所述源電極和所述漏電極在所述蝕刻停止層上彼此間隔開。