[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710940712.5
• 申請(qǐng)日: 2013-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN107689389B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金剛鉉;梁基燮;崔大正;崔乘烈;金漢熙;樸璟鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括：

第一基板；

多條選通線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條選通線和所述多條數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定顯示區(qū)域中的多個(gè)像素區(qū)域；

薄膜晶體管TFT，所述薄膜晶體管位于所述第一基板上并且位于所述多個(gè)像素區(qū)域中的每一個(gè)中；

第一電極，所述第一電極具有位于所述薄膜晶體管上的第一邊緣部、第二邊緣部和中心部；

環(huán)岸，所述環(huán)岸被設(shè)置在所述第一電極的所述第一邊緣部和所述第二邊緣部上；

有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層包括依次堆疊的空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光材料層EML和電子傳輸層ETL，所述有機(jī)發(fā)光層包括具有第一高度的中心區(qū)域以及位于所述第一電極的所述第一邊緣部和所述第二邊緣部上的具有第二高度的邊緣區(qū)域；以及

第二電極，所述第二電極位于所述有機(jī)發(fā)光層上，

其中，所述有機(jī)發(fā)光層的中心區(qū)域與所述第一電極的中心部接觸，并且所述有機(jī)發(fā)光層的邊緣區(qū)域與所述環(huán)岸的側(cè)表面接觸，

其中，所述環(huán)岸包括第一環(huán)岸和位于所述第一環(huán)岸上的第二環(huán)岸，并且其中，所述第一環(huán)岸具有第一寬度，并且所述第二環(huán)岸具有小于所述第一寬度的第二寬度，

其中，所述第一環(huán)岸包括遮光材料，并且接觸所述第一電極和所述第二環(huán)岸，并且

其中，通過在所述第一環(huán)岸和所述第一電極上形成環(huán)岸材料層之后利用UV光執(zhí)行曝光步驟來(lái)形成所述第二環(huán)岸，并且所述第一環(huán)岸阻止所述UV光的穿過，以使得在所述有機(jī)發(fā)光層與所述第一電極的中心部之間不存在環(huán)岸材料的殘留物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一高度小于所述第二高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第二邊緣部與所述數(shù)據(jù)線的邊緣相鄰，并且所述第一電極的所述第一邊緣部連接到所述薄膜晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第二邊緣部上的所述環(huán)岸的寬度比所述第一邊緣部上的所述環(huán)岸的寬度窄。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第二邊緣部上的所述環(huán)岸與所述數(shù)據(jù)線交疊，并且所述第一電極的所述第一邊緣部上的所述環(huán)岸與所述薄膜晶體管交疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第二邊緣部上的所述環(huán)岸完全地覆蓋所述數(shù)據(jù)線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管包括開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述開關(guān)薄膜晶體管連接到所述多條選通線中的一條和所述多條數(shù)據(jù)線中的一條，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接到所述開關(guān)薄膜晶體管，并且其中，所述第一電極的所述第一邊緣部連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管中的每一個(gè)包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包含氧化物半導(dǎo)體、非晶硅和多晶硅中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體層或多晶硅半導(dǎo)體層。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管中的每一個(gè)還包括覆蓋所述半導(dǎo)體層的中部的蝕刻停止層，并且其中，所述源電極和所述漏電極在所述蝕刻停止層上彼此間隔開。