[發明專利]改性金屬硫族化合物的制備方法及發光器件

有效

• 申請號: 201710940057.3
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN109599505B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然;李龍基
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 44237 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 官建紅

本發明屬于顯示器件領域，提供了改性金屬硫族化合物的制備方法及發光器件。本發明通過提供金屬硫族化合物，將金屬硫族化合物置于反應室中進行第一改性處理和第二改性處理，得到改性金屬硫族化合物。在此制備過程中，第一改性處理通過充分的酸處理，減少了硫族元素的缺陷，并將與硫族元素缺陷態結合的電荷釋放出來，同時清除硫族化合物中的氧物種(oxygen species)，進而獲得更純凈的金屬硫族化合物；第二改性處理通過硫醇處理使硫族元素缺陷態和硫醇以共價鍵的形式進行化學吸附，將硫族元素表面剩余的缺陷消除到最小；由此獲得具有較高電荷傳輸效率的改性金屬硫族化合物，提高了器件的發光效率。此外，該制備方法工藝簡單，成本低，可實現大規模生產。

技術領域

本發明屬于顯示器件領域，尤其涉及改性金屬硫族化合物的制備方法及發光器件。

背景技術

在現有的QLED和OLED的制備技術中，空穴傳輸材料通常采用有機物，常用的PEDOT:PSS，然而EDOT:PSS空穴注入層的酸性和易吸水性對ITO和器件都造成了不同程度的損害和衰減，因而器件的穩定性還有待提高。在目前替代PEODT：PSS的報道中，使用較多的替代物是金屬氧化物，比如氧化鉬、氧化鎳或者氧化銅等；而在其他一些關于太陽能電池的報道中，金屬硫族化合物也被用來替代PEDOT:PSS，例如硫化鉬和硫化銅。硫化物因其具有較高的載流子遷移率(200cm²·V^-1·s^-1-500cm²·V^-1·s^-1)的特點被廣泛應用于光催化、晶體管和太陽能電池中。然而，盡管在太陽能電池的制備中，金屬硫族化合物可被用來替代PEDOT:PSS，但由于金屬硫族化合物在制備過程中通常會存在不同程度的存在缺陷和缺陷態，當將其應用作為空穴傳輸材料時，則避免不了使電荷束縛在缺陷上，導致電荷的復合比例減小，進而降低空穴的傳輸效率。

因此，現有的金屬硫族化合物由于存在較多的缺陷和缺陷態而在應用為空穴傳輸材料時具有較差的空穴傳輸能力。

發明內容

本發明的目的在于提供一種改性金屬硫族化合物的制備方法及發光器件，旨在解決現有的金屬硫族化合物由于存在較多的缺陷和缺陷態而在應用為空穴傳輸材料時具有較差的空穴傳輸能力的問題。

本發明提供了一種改性金屬硫族化合物的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

提供金屬硫族化合物，將所述金屬硫族化合物置于反應室中；

通入非氧化性酸，對所述金屬硫族化合物進行第一改性處理；

通入硫醇，對經第一改性處理的金屬硫族化合物進行第二改性處理，得到改性金屬硫族化合物。

本發明提供了一種發光器件，包括空穴功能層，所述空穴功能層含有如上所述方法制備的改性金屬硫族化合物。

本發明提供的改性金屬硫族化合物的制備方法及發光器件，通過提供金屬硫族化合物，將金屬硫族化合物置于反應室中，通入非氧化性酸以對金屬硫族化合物進行第一改性處理，通入硫醇以對金屬硫族化合物進行第二改性處理，得到改性金屬硫族化合物。在此制備過程中，第一改性處理通過充分的酸處理，減少了硫族元素的缺陷，并可以將與硫族元素缺陷態結合的電荷釋放出來，同時將硫族化合物中的氧物種(oxygen species)清除，進而獲得更純凈的金屬硫族化合物；第二改性處理通過硫醇處理使硫族元素缺陷態和硫醇以共價鍵的形式進行化學吸附，將硫族元素表面剩余的缺陷消除到最小；由此獲得具有較高電荷傳輸效率的改性金屬硫族化合物，提高了器件的發光效率。此外，該制備方法工藝簡單，成本低，可實現大規模生產。

附圖說明

圖1是本發明的實施例提供的雙磺酰亞胺類的分子結構示意圖；

圖2是本發明的實施例提供的改性金屬硫族化合物的制備方法的裝置示意圖；