[發(fā)明專利]改性金屬硫族化合物的制備方法及發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710940057.3
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN109599505B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王宇;曹蔚然;李龍基
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 44237 深圳中一專利商標事務(wù)所
• 代理人: 官建紅

1.一種改性金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

提供金屬硫族化合物，將所述金屬硫族化合物置于反應(yīng)室中；

通入非氧化性酸，對所述金屬硫族化合物進行第一改性處理；

通入硫醇，對經(jīng)第一改性處理的金屬硫族化合物進行第二改性處理，得到改性金屬硫族化合物；

其中，

所述通入非氧化性酸包括：向非氧化性酸溶液中通入惰性氣體，并使惰性氣體流向反應(yīng)室中，向反應(yīng)室中帶入非氧化性酸；

所述通入硫醇包括：向硫醇溶液中通入惰性氣體，并使惰性氣體流向反應(yīng)室中，向反應(yīng)室中帶入硫醇。

2.如權(quán)利要求1所述的改性金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，在所述通入硫醇之前和/或之后，還包括通入惰性氣體的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的改性金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，反應(yīng)室中的壓強為1.1MPa-11MPa 。

4.如權(quán)利要求1所述的改性金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，所述非氧化性酸包括氫鹵酸和/或雙磺酰亞胺類，所述雙磺酰亞胺類的分子結(jié)構(gòu)如下所示：

其中，R為烷烴、芳烴、取代烷烴或取代芳烴中的一種，R中的碳原子數(shù)小于八。

5.如權(quán)利要求1所述的改性金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，所述硫醇分子鏈中碳原子數(shù)小于八。

6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的改性金屬硫族化合物的制備方法，其特征在于，所述金屬硫族化合物的化學(xué)式為MS₂，其中M為金屬元素，S為硫族元素。

7.一種發(fā)光器件，包括空穴功能層，其特征在于，所述空穴功能層含有如權(quán)利要求1-6任一項所述制備方法制備的改性金屬硫族化合物。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴功能層為空穴注入層或空穴傳輸層。