[發明專利]一種像素掩膜板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710938760.0
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN109594040B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 劉雪洲;李碩;夏振
• 申請（專利權）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 劉書芝

本申請公開了一種像素掩膜板及其制作方法。該方法包括提供一絕緣體上硅SOI襯底，所述SOI襯底包括背襯底、埋氧層和頂層硅；在所述頂層硅上刻蝕形成像素圖形，刻蝕終點至所述埋氧層；將所述埋氧層去除并使所述頂層硅和所述背襯底分離，分離后的所述頂層硅為具有開口圖形的硅膜，所述硅膜的開口圖形為像素圖形，所述硅膜的邊緣與所述硅膜的開口圖形之間的外圍區域具有支撐部；提供一載體基板，所述載體基板具有邊框部與鏤空部，所述邊框部與所述支撐部連接形成掩膜板，所述鏤空部與所述像素圖形相對應。本發明采用半導體工藝制作出一種像素掩膜板，使其用于蒸鍍技術中，實現RGB像素獨立發光方式的超高分辨率，去除彩色濾光片的影響，提高OLED器件的光效。

技術領域

本發明屬于掩膜板制作技術領域，具體而言，涉及一種像素掩膜板及其制作方法。

背景技術

目前，虛擬現實技術(Virtual Reality，VR)/增強現實技術(Augmented Reality，AR)等近眼顯示應用逐漸興起，由于使用過程中顯示屏距離人眼很近，因此對顯示的基本要求是高分辨率，對屏幕的尺寸要求一般在2英寸以下?，F有的用于AR等近眼顯示的主流技術為有機發光二極管(Organic Light-emitting Diode，OLED)。OLED具有自發光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當有電流通過時，這些有機材料就會發光。

OLED顯示的彩色化主要采用彩色濾光片技術實現，這種技術利用白光OLED結合彩色濾光片，首先制備發白光OLED的器件，然后通過彩色濾光片得到三基色，再組合三基色實現彩色顯示，但使用彩色濾光片會嚴重影響發光效率及亮度；還可以采用RGB像素獨立發光的方式，這種方式在蒸鍍過程中采用精細金屬掩膜板，而隨著對OLED顯示分辨率的要求越來越高，精細金屬掩膜板厚度需要變薄，精細金屬掩膜板厚度變薄的同時無法避免下垂的現象，所以不能制造出超出限度以下的厚度，受限于精細金屬掩膜板加工精度的要求，采用這種方式的分辨率很難達到600ppi以上。目前在開發的噴墨打印法(Ink-jet printing)，激光誘導熱成像(Laster-Induced Thermal Imaging,LITI)等其它工藝均未見1000ppi以上超高分辨率的樣品展示。

綜上所述，現有的制作工藝無法滿足用戶對于OLED顯示的高分辨率的要求。

發明內容

針對現有技術存在的上述問題，本發明的目的在于提供一種像素掩膜板及其制作方法，使其可適用于蒸鍍技術，以實現RGB獨立發光方式的超高分辨率，去除彩色濾光片的影響，提高OLED器件的光效。

本發明實施例提供了一種像素掩膜板的制作方法，包括：

步驟10：提供一絕緣體上硅(Silicon On Insulator，SOI)襯底，

所述SOI襯底包括背襯底、埋氧層和頂層硅；

步驟20：在所述頂層硅上刻蝕形成像素圖形，刻蝕終點至所述埋氧層；

步驟30：將所述埋氧層去除并使所述頂層硅和所述背襯底分離，分離后的所述頂層硅為具有開口圖形的硅膜，所述硅膜的開口圖形為像素圖形，所述硅膜的邊緣與所述硅膜的開口圖形之間的區域具有支撐部；

步驟40：提供一載體基板，所述載體基板具有邊框部與鏤空部，所述邊框部與所述支撐部連接形成掩模板，所述鏤空部與所述像素圖形相對應。

可選地，由所述硅膜的靠近邊框部的一面對所述像素圖形進行倒角。

可選地，采用低密度等離子刻蝕方法由所述硅膜的靠近邊框部的一面對所述像素圖形進行倒角。

可選地，步驟20的具體制作方法為：在所述頂層硅表面形成阻擋層，所述阻擋層具有像素圖形，并通過曝光及刻蝕工藝將所述阻擋層的像素圖形轉移至所述頂層硅上。

可選地，所述阻擋層的材料為氧化硅或氮化硅。