[發(fā)明專利]一種像素掩膜板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710938760.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109594040B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉雪洲;李碩;夏振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 劉書(shū)芝

1.一種像素掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：

步驟10：提供一絕緣體上硅SOI襯底，所述SOI襯底包括背襯底、埋氧層和頂層硅；

步驟20：在所述頂層硅上刻蝕形成像素圖形，刻蝕終點(diǎn)至所述埋氧層；

步驟30：采用濕法腐蝕方法將所述埋氧層去除并使所述頂層硅和所述背襯底分離，分離后的所述頂層硅為具有開(kāi)口圖形的硅膜，所述硅膜的開(kāi)口圖形為像素圖形，所述硅膜的邊緣與所述硅膜的開(kāi)口圖形之間的外圍區(qū)域具有支撐部；

步驟40：提供一載體基板，所述載體基板具有邊框部與鏤空部，所述邊框部與所述支撐部連接形成掩膜板，所述鏤空部與所述像素圖形相對(duì)應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

由所述硅膜的靠近邊框部的一面對(duì)所述像素圖形進(jìn)行倒角。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用低密度等離子刻蝕方法對(duì)所述硅膜的所述像素圖形進(jìn)行倒角。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟20的具體制作方法為：在所述頂層硅表面制作阻擋層，所述阻擋層具有像素圖形，并通過(guò)曝光及刻蝕工藝將所述阻擋層的像素圖形轉(zhuǎn)移至所述頂層硅上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述阻擋層為氧化硅或氮化硅材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟30之后，步驟40之前，包括：

采用濕法腐蝕將所述阻擋層去除。

7.一種像素掩膜板，根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法制備，其特征在于，包括：載體基板及硅膜，所述載體基板具有邊框部與鏤空部，所述硅膜的開(kāi)口圖形為像素圖形，所述硅膜的邊緣與所述硅膜的開(kāi)口圖形之間的外圍區(qū)域具有支撐部，所述邊框部與所述支撐部連接，而所述鏤空部與所述像素圖形相對(duì)應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素掩膜板，其特征在于，所述硅膜的靠近所述邊框部的一面的所述像素圖形具有倒角。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素掩膜板，其特征在于，所述載體基板的材料包括玻璃或硅片。