[發(fā)明專利]一種雙面氧化鋁P型PERC太陽能電池及制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710937780.6 | 申請日: | 2017-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN107887453B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫涌濤 | 申請(專利權(quán))人: | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 322118 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙面 氧化鋁 perc 太陽能電池 制作方法 | ||
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域,公開了一種雙面氧化鋁P型PERC太陽能電池及制作方法,該電池包括硅片和兩個正電極;硅片正面依次設(shè)有正面氮化硅膜和正面氧化鋁膜;硅片背面依次設(shè)有背面氧化鋁膜、背面氮化硅膜、背電極/場。其制作方法包括:1)清洗、制絨;2)擴散制PN結(jié);3)刻蝕;4)正面鍍氮化硅膜;5)雙面鍍氧化鋁膜;6)背面鍍氮化硅膜;7)激光開槽;8)絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。本發(fā)明在硅片背面、正面都覆蓋一層氧化鋁薄膜,能夠解決常規(guī)P型PERC電池在制作背面氧化鋁時,繞鍍導致的正面外觀色差及EL邊緣發(fā)黑等問題,同時正面均勻沉積的氧化鋁薄膜層,有利于降低反射率提高轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域,尤其涉及一種雙面氧化鋁P型PERC太陽能電池及制作方法。
背景技術(shù)
目前常規(guī)的P型PERC高效太陽能電池工藝路線主要是通過:制絨-擴散-刻蝕/背拋-背面氧化鋁膜沉積(PECVD或ALD方式)-背面氮化硅膜沉積(PECVD)-正面氮化硅膜沉積-激光開槽-絲印印刷-燒結(jié),該工藝路線在制作背面氧化鋁膜的過程中,局限于氧化鋁制作的工藝原理及設(shè)備機構(gòu),氧化鋁不可避免的繞鍍到硅片正面的邊緣位置,導致正面外觀色差、EL邊緣發(fā)黑等不良片的產(chǎn)生。業(yè)內(nèi)各企業(yè)及研究機構(gòu)研究了各種解決方法,如行業(yè)內(nèi)主流氧化鋁設(shè)備廠商MAIA采用硅片背表面朝上沉積氧化鋁,在微波源較為精準的控制下,減少硅片正面邊緣氧化鋁繞鍍,但是局限于氧化鋁是以氣態(tài)沉積的方式制作的特點,繞鍍問題始終難以徹底解決。
另一方面,現(xiàn)有工藝路線條件下,電池片正面沉積的是一層或多層單一材質(zhì)的氮化硅膜減反射層,其折射率在2.1~2.3%之間,減反射效果并不理想。在常規(guī)鋁背場結(jié)構(gòu)太陽能電池上,行業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)提出了制作氧化硅+氮氧化硅+氮化硅的疊層減反射層方法,如發(fā)明專利公布號CN104952941A、CN103943717 A、CN 101958365 A,以降低電池片的正面的反射率,提升電池轉(zhuǎn)換效率。該方法需要在常規(guī)PECVD鍍膜機臺上增加笑氣功能,設(shè)備改造和笑氣的消耗會導致生產(chǎn)成本增高。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種雙面氧化鋁P型PERC太陽能電池及制作方法。本發(fā)明通過調(diào)整工藝流程、改變硅片在鍍膜腔體中的放置方式,使硅片背面、正面都覆蓋一層均勻的氧化鋁薄膜,能夠很好地解決常規(guī)P型PERC電池在制作背面氧化鋁時,繞鍍導致的正面外觀色差及EL邊緣發(fā)黑等問題,同時正面均勻沉積的氧化鋁薄膜層,有利于降低反射率提高轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明的具體技術(shù)方案為:一種雙面氧化鋁P型PERC太陽能電池,包括硅片和設(shè)于所述硅片正面的兩個正電極;所述硅片正面依次設(shè)有正面氮化硅膜和正面氧化鋁膜;硅片背面依次設(shè)有背面氧化鋁膜、背面氮化硅膜、背電極/場。
所述的雙面氧化鋁P型PERC太陽能電池的制作方法,包括以下步驟:
1)清洗、制絨。
2)擴散制PN結(jié)。
3)刻蝕。
4)正面鍍氮化硅膜:采用PECVD方式,在步驟(3)刻蝕好的硅片正面鍍70-80nm厚的氮化硅膜。
5)雙面鍍氧化鋁膜:將步驟4)正面鍍好氮化硅膜的硅片,插入鋁質(zhì)花籃中,每個卡槽插1片,放入氧化鋁鍍膜設(shè)備中,在真空條件下,以原子沉積的方式周期性通入TMA和水蒸氣,在硅片正面、背面同時制作一層厚度為3-10nm氧化鋁膜層。
6)背面鍍氮化硅膜:將步驟5)雙面鍍好氧化鋁的硅片利用PECVD方式,在硅片背面鍍100-180nm厚的氮化硅膜。
7)激光開槽。
8)絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





