[發明專利]陣列基板、陣列基板的制作方法及液晶顯示面板有效
| 申請號: | 201710934432.3 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107479292B | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 李任鵬;米田公太郎 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1337 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制作方法 液晶顯示 面板 | ||
本發明提供一種陣列基板、陣列基板的制作方法及液晶顯示面板。所述陣列基板源漏極層、像素電極層及間隔層。所述間隔層上設有過孔結構,所述像素電極層通過所述過孔結構與所述源漏極層電連接。所述過孔結構包括過孔及設于所述過孔邊緣的間隔設置的多個導液槽。所述像素電極層對應于所述過孔的位置形成凹槽,在對應于每個所述導液槽的位置形成子導液槽。在所述像素電極上設置配向層時,形成所述配向層的配向液能夠通過所述子導液槽流入所述像素電極上的凹槽內,從而使得在所述像素電極層上的凹槽位置也能夠覆蓋所述配向膜,進而保證所述陣列基板形成的液晶顯示面板正常顯示。
技術領域
本發明涉及一種顯示面板制造技術領域,尤其涉及一種陣列基板、陣列基板的制作方法及液晶顯示面板。
背景技術
液晶顯示面板(LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點而備受關注,在平板顯示領域中占據了主導地位,被廣泛地應用到各行各業中。液晶顯示面板通常由彩膜基板和陣列基板對盒而成。其中,所述陣列基板一般包括源漏極層、設于所述源漏極層上的間隔層及位于所述間隔層上的像素電極層。其中,需要在所述間隔層上設置過孔,使得所述像素電極層通過所述過孔與所述源漏極層進行電連接,以實現所述液晶顯示面板的驅動及顯示。所述像素電極通過所述過孔與所述源漏極電連接時,會在所述像素電極層相對于所述過孔的位置形成凹槽。其中,由于所述過孔的面積較小,從而使得后續在所述像素電極層上方設置配向膜時,在所述凹槽內容易產生氣泡,從而形成所述配向膜的配向液不容易進入所述像素電極層的所述凹槽并均勻的分散在所述凹槽內,使得此區域缺少配向膜,進而使得所述液晶顯示面板出現顯示異常。
發明內容
本發明提供一種陣列基板、陣列基板的制作方法及液晶顯示面板,使得所述陣列基板的像素電極層的各位置均能夠覆蓋有配向膜,保證所述陣列基板形成的液晶顯示面板正常顯示。
所述陣列基板包括襯底、層疊于所述襯底上的源漏極層、位于所述源漏極層上的像素電極層、及層疊于所述源漏極層及所述像素電極層之間的間隔層,所述間隔層包括過孔結構,所述過孔結構包括過孔及設于所述過孔邊緣的間隔設置的多個導液槽,所述導液槽從所述過孔的內壁向背離所述過孔內部的方向凹陷,所述過孔具有第一孔口及與所述第一孔口相對的第二孔口,所述導液槽從所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸;所述像素電極層通過所述過孔結構與所述源漏極層電連接。
其中,所述導液槽的延伸方向與所述過孔的軸線方向的夾角同所述過孔內壁與所述軸線方向的夾角相同。
其中,所述像素電極層對應于所述過孔的位置形成一凹槽,所述像素電極層在對應于每個所述導液槽的位置形成一子導液槽。
其中,所述陣列基板還包括配向層,所述配向層覆蓋所述像素電極層。
所述陣列基板的制作方法,包括步驟:
在襯底上通過構圖工藝形成源漏極層;
在所述源漏極層上形成間隔層,并通過構圖工藝在所述間隔層上形成過孔結構,所述過孔結構包括過孔及設于所述過孔邊緣的間隔設置的多個導液槽,所述導液槽從所述過孔的內壁向背離所述過孔內部的方向凹陷形成,所述過孔具有第一孔口及與所述第一孔口相對的第二孔口,所述導液槽從所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸,且所述導液槽的延伸方向與所述過孔的軸線方向的夾角同所述過孔內壁與所述軸線方向的夾角相同或不同;
在所述間隔層上形成像素電極層,所述像素電極層通過所述過孔結構與所述源漏極層電連接,且所述像素電極層對應于所述過孔的位置形成與所述過孔形狀結構相同的凹槽,在對應于每個所述導液槽的位置形成與所述導液槽形狀結構相同的子導液槽;
在所述像素電極層上形成覆蓋所述像素電極層的配向層,所述配向層覆蓋所述像素電極層及所述像素電極層的所述凹槽的內壁、所述子導液槽的內壁。
其中,所述“通過構圖工藝在所述間隔層上形成過孔結構”包括步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710934432.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





