[發明專利]陣列基板、陣列基板的制作方法及液晶顯示面板

有效

• 申請號: 201710934432.3
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107479292B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 李任鵬;米田公太郎
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1337
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底、層疊于所述襯底上的源漏極層、位于所述源漏極層上的像素電極層、及層疊于所述源漏極層及所述像素電極層之間的間隔層，所述間隔層包括過孔結構，所述過孔結構包括過孔及設于所述過孔邊緣的間隔設置的多個導液槽，所述導液槽從所述過孔的內壁向背離所述過孔內部的方向凹陷，所述過孔具有第一孔口及與所述第一孔口相對的第二孔口，所述導液槽從所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸；所述像素電極層通過所述過孔結構與所述源漏極層電連接；所述像素電極層對應于所述過孔的位置形成一凹槽，所述像素電極層在對應于每個所述導液槽的位置形成一子導液槽。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導液槽的延伸方向與所述過孔的軸線方向的夾角同所述過孔內壁與所述軸線方向的夾角相同。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括配向層，所述配向層覆蓋所述像素電極層。

4.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底上通過構圖工藝形成源漏極層；

在所述源漏極層上形成間隔層，并通過構圖工藝在所述間隔層上形成過孔結構，所述過孔結構包括過孔及設于所述過孔邊緣的間隔設置的多個導液槽，所述導液槽從所述過孔的內壁向背離所述過孔內部的方向凹陷形成，所述過孔具有第一孔口及與所述第一孔口相對的第二孔口，所述導液槽從所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸，且所述導液槽的延伸方向與所述過孔的軸線方向的夾角同所述過孔內壁與所述軸線方向的夾角相同或不同；

在所述間隔層上形成像素電極層，所述像素電極層通過所述過孔結構與所述源漏極層電連接，且所述像素電極層對應于所述過孔的位置形成與所述過孔形狀結構相同的凹槽，在對應于每個所述導液槽的位置形成與所述導液槽形狀結構相同的子導液槽；

在所述像素電極層上形成覆蓋所述像素電極層的配向層，所述配向層覆蓋所述像素電極層及所述像素電極層的所述凹槽的內壁、所述子導液槽的內壁。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“通過構圖工藝在所述間隔層上形成過孔結構”包括步驟：

在所述源漏極層上依次形成間隔材料層及光阻材料層；

通過光罩對所述光阻材料層進行曝光、顯影，以將所述光罩上的過孔圖案轉移至所述光阻材料層上，所述光罩上的過孔圖案與所述過孔結構形狀大小相同；

對所述間隔材料層進行刻蝕，將所述光阻材料層上形成所述過孔圖案轉移至所述間隔材料層上，得到具有所述過孔結構的間隔層；

剝離所述光阻材料層。

6.如權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述導液槽的延伸方向與所述過孔的軸線方向的夾角同所述過孔內壁與所述軸線方向的夾角相同時，所述光罩包括遮光區、透光區及多個半透光區，所述多個半透光區圍繞所述透光區并間隔排布，且所述半透光區與所述透光區連接，所述半透光區的透光率從遠離所述透光區的方向向所述透光區的方向逐漸增加；所述間隔層上對應于所述透光區的位置形成所述過孔，所述間隔層上對應于所述半透光區的位置形成所述導液槽。

7.如權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述導液槽的延伸方向與所述過孔的軸線方向的夾角同所述過孔內壁與所述軸線方向的夾角不相同時，所述光罩包括遮光區、第一透光區及多個第二透光區，所述多個第二透光區圍繞所述第一透光區并間隔排布，且所述第二透光區與所述第一透光區連接；所述間隔層上對應于所述第一透光區的位置形成所述過孔，所述間隔層上對應于所述第二透光區的位置形成所述導液槽。