[發明專利]非易失性存儲器裝置及其操作方法以及控制邏輯

有效

• 申請號: 201710934299.1
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN108074603B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 南尚完;邊大錫;尹治元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C8/10
• 分類號: G11C8/10;G11C8/14;G11C8/08;G11C7/18;G11C7/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;田野

提供了非易失性存儲器裝置及其操作方法以及控制邏輯。所述非易失性存儲器裝置包括結合到包含串的存儲器單元陣列的控制邏輯。控制邏輯被配置為在用于從被選擇的串感測數據的感測操作的設置間隔期間控制被施加到未選擇的串選擇線的第一弱導通電壓和被施加到未選擇的地選擇線的第二弱導通電壓。未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線分別連接到同一個未選擇的串的串選擇晶體管和地選擇晶體管。被選擇的串和未選擇的串共同連接到同一條位線。第一弱導通電壓和第二弱導通電壓分別小于未選擇的串中的串選擇晶體管和地選擇晶體管的閾值電壓。

本申請要求于2016年11月14日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0151307號韓國專利申請和2017年3月2日在美國專利商標局提交的第15/447,357號美國專利申請的權益，該韓國專利申請和美國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及存儲器裝置，更具體地，涉及非易失性存儲器裝置和/或讀取該非易失性存儲器裝置的方法。

背景技術

存儲器裝置用于存儲數據并且被分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。作為非易失性存儲器裝置的示例，閃存裝置可以用于移動電話、數字照相機、便攜式數字助理(PDA)、便攜式計算機裝置、固定計算機裝置和其它裝置。

發明內容

發明構思涉及一種能夠抑制讀取干擾的非易失性存儲器裝置和/或讀取該非易失性存儲器裝置的方法。

根據發明構思的一些示例實施例，提供一種讀取非易失性存儲器裝置的方法，在該非易失性存儲器裝置中，多個單元串連接到單條位線，其中，多個單元串中的每個包括選擇晶體管和多個存儲器單元。所述方法包括：將導通電壓施加到與包括在多個單元串的被選擇的單元串中的選擇晶體管相連接的被選擇的選擇線；將具有比選擇晶體管的閾值電壓的電壓電平低的電壓電平的弱導通電壓施加到與包括在多個單元串的未選擇的單元串中的選擇晶體管相連接的未選擇的選擇線；將通過電壓和讀取電壓施加到與多個單元串的多個存儲器單元相連接的字線。

根據發明構思的一些示例實施例，非易失性存儲器裝置包括結合到存儲器單元陣列的控制邏輯。存儲器單元陣列包括連接到位線、字線、串選擇線和地選擇線的串。每個串包括在串選擇晶體管與地選擇晶體管之間串聯連接的存儲器單元。控制邏輯被配置為在用于從串中的被選擇的串感測數據的感測操作的設置間隔期間，控制被施加到串選擇線中的未選擇的串選擇線的第一弱導通電壓和被施加到地選擇線中的未選擇的地選擇線的第二弱導通電壓。未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線分別連接到串中的同一個未選擇的串的串選擇晶體管和地選擇晶體管。被選擇的串和未選擇的串共同連接到位線中的同一條位線。第一弱導通電壓的電平小于未選擇串中的串選擇晶體管的閾值電壓并大于地電壓。第二弱導通電壓的電平小于未選擇的串的地選擇晶體管的閾值電壓并大于地電壓。

根據發明構思的一些示例實施例，非易失性存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，包括連接到位線的串；行解碼器，連接到串；電壓發生器，連接到行解碼器；控制邏輯，結合到行解碼器和電壓發生器。每個串包括在串選擇晶體管與地選擇晶體管之間串聯連接的存儲器單元。行解碼器通過字線、串選擇線和地選擇線連接到串。控制邏輯被配置為在用于從串中的被選擇的串感測數據的感測操作的設置間隔期間，控制電壓發生器和行解碼器將第一弱導通電壓施加到串選擇線中的未選擇的串選擇線并將第二弱導通電壓施加到地選擇線中的未選擇的地選擇線。未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線分別連接到串中的同一個未選擇的串的串選擇晶體管和地選擇晶體管。被選擇的串和未選擇的串共同連接到位線中的同一條位線。第一弱導通電壓的電平小于未選擇的串中的串選擇晶體管的閾值電壓并大于地電壓。第二弱導通電壓的電平小于未選擇的串的地選擇晶體管的閾值電壓并大于地電壓。