[發明專利]非易失性存儲器裝置及其操作方法以及控制邏輯

有效

• 申請號: 201710934299.1
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN108074603B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 南尚完;邊大錫;尹治元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C8/10
• 分類號: G11C8/10;G11C8/14;G11C8/08;G11C7/18;G11C7/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;田野

1.一種非易失性存儲器裝置，所述非易失性存儲器裝置包括：

存儲器單元陣列，包括連接到位線、字線、串選擇線和地選擇線的串，每個串包括在串選擇晶體管與地選擇晶體管之間串聯連接的存儲器單元；以及

控制邏輯，結合到存儲器單元陣列，控制邏輯被配置為在用于從串中的被選擇的串感測數據的感測操作的設置間隔期間控制被施加到串選擇線中的未選擇的串選擇線的第一弱導通電壓和被施加到地選擇線中的未選擇的地選擇線的第二弱導通電壓，未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線分別連接到串中的同一個未選擇的串的串選擇晶體管和地選擇晶體管，被選擇的串和未選擇的串共同連接到位線中的同一條位線，第一弱導通電壓的電平小于未選擇的串中的串選擇晶體管的閾值電壓并且大于地電壓，第二弱導通電壓的電平小于未選擇的串的地選擇晶體管的閾值電壓并且大于地電壓。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

感測操作是讀取操作,

設置間隔是讀取設置間隔。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

感測操作是編程驗證操作，

設置間隔是驗證設置間隔。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，第一弱導通電壓的電平與第二弱導通電壓的電平不同。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

第一弱導通電壓的電平等于第二弱導通電壓的電平。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

控制邏輯被配置為在設置間隔期間將被施加到未選擇的串選擇線的第一弱導通電壓和被施加到未選擇的地選擇線的第二弱導通電壓控制為具有相同的電平。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，

感測操作包括在設置間隔之后的感測間隔，

控制邏輯被配置為在感測間隔期間控制被施加到未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線的截止電壓。

8.根據權利要求7所述的非易失性存儲器裝置，其中，

控制邏輯被配置為將被施加到未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線的截止電壓控制為在感測間隔期間的同一時刻處開始。

9.根據權利要求7所述的非易失性存儲器裝置，其中，

控制邏輯被配置為將在感測間隔期間被施加到未選擇的串選擇線和未選擇的地選擇線的截止電壓控制為在感測間隔期間的不同時刻處開始。

10.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

第一弱導通電壓的脈沖寬度等于第二弱導通電壓的脈沖寬度。

11.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

控制邏輯被配置為在設置間隔期間將被施加到未選擇的串選擇線的第一弱導通電壓和被施加到未選擇的地選擇線的第二弱導通電壓控制為具有相同的脈沖寬度。

12.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

第一弱導通電壓的電平小于第二弱導通電壓的電平。

13.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，

每個串中的地選擇晶體管是第一地選擇晶體管，

每個串還包括第二地選擇晶體管，第二地選擇晶體管被布置為使第一地選擇晶體管位于存儲器單元與第二地選擇晶體管之間，

控制邏輯被配置為在感測操作的設置間隔期間控制被施加到與同一個未選擇的串的第一地選擇晶體管相連接的未選擇的地選擇線的第二弱導通電壓。