[發明專利]半導體芯片和具有半導體芯片的半導體封裝體

有效

• 申請號: 201710933867.6
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN107689366B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 李承燁
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/552
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

本發明公開了一種半導體芯片，包括半導體基板和屏蔽層，半導體基板具有一個表面、背對一個表面的另一表面和形成在一個表面上的集成電路，屏蔽層形成在半導體基板中以對應于另一表面。

本申請是申請號為201310384376.2、申請日為2013年8月29日、發明名稱為“半導體芯片和具有半導體芯片的半導體封裝體”的中國專利申請的分案申請。本申請的母案申請要求了于2012年8月30提交韓國知識產權局的韓國專利申請第10-2012-95311號的優先權，其全文引用結合于此。

技術領域

本發明總體上涉及半導體裝置，更具體涉及適合于改善EMI(電磁干擾)特性的半導體芯片以及具有該半導體芯片的半導體封裝體。

背景技術

當前，電子工業傾向于以低成本制造高可靠性的產品，從而實現體輕、小型化、高速運行、多功能和高性能。封裝裝配技術被認為是用于實現設計這樣產品的目的的重要技術之一。封裝裝配技術是要保護具有形成于其中的集成電路的半導體芯片不受外部環境的影響，以及易于將半導體芯片安裝到基板，從而可保證半導體芯片的運行可靠性。

近來，由于半導體裝置的運行速度的增加，半導體芯片中產生大量的電磁波，使得采用半導體芯片制造的電子設備的可靠性可能下降。就是說，具有高速運行的集成電路的半導體芯片中不可避免地產生電磁波。在這樣的半導體芯片用于電子設備中的情況下，由于從半導體芯片產生的電磁波被輻射，在安裝到該電子設備的其它電子產品中可能導致電磁干擾(EMI)。結果，在其中使用半導體芯片的電子設備中可能產生電磁噪聲或諸如誤操作的失效，由此電子設備的可靠性可能劣化。具體地，隨著半導體芯片的響應速度增加并且半導體芯片具有高容量，歸因于電磁波輻射的電磁干擾問題變得嚴重。

作為阻擋這樣的電磁波的方法，已經提出在將半導體芯片組裝成半導體封裝體之后在半導體封裝體的模制部件上形成屏蔽層的方法。然而，即使在此情況下，產生的問題也在于半導體封裝體的尺寸由于存在形成于半導體封裝體的模制部件上的屏蔽層而增加。另外，不可能解決半導體封裝體中半導體芯片之間以及半導體芯片與基板之間的電磁干擾問題。

發明內容

各種實施例涉及適于改善EMI(電磁干擾)特性且實現重量輕、薄型、緊湊和小型化的半導體芯片。

再者，實施例涉及具有半導體芯片的半導體封裝體。

在實施例中，半導體芯片包括：半導體基板，具有一個表面、背對該一個表面的另一表面、以及形成在該一個表面上的集成電路；以及屏蔽層，形成在半導體基板中以對應于該另一表面。

半導體芯片還可包括穿透半導體基板和屏蔽層并且與集成電路電連接的第一穿透電極；以及使第一穿透電極和屏蔽層彼此電隔離的電介質層。半導體基板可分成其中設置有集成電路的核心區域和限定在核心區域之外的周邊區域，并且第一穿透電極可形成在核心區域中。

半導體芯片還可包括穿過半導體基板和屏蔽層并且與屏蔽層電連接的第二穿透電極。半導體基板可分成其中設置有集成電路的核心區域和限定在核心區域之外的周邊區域，并且第二穿透電極形成在周邊區域中。多個第二穿透電極可沿著核心區域的邊緣形成。

屏蔽層可形成為與半導體基板的另一表面以預定距離分離開。與此不同，屏蔽層形成為暴露在半導體基板的另一表面上。

半導體芯片還可包括：附加屏蔽層，其形成在半導體基板的側表面上且與屏蔽層電連接；以及形成在附加屏蔽層和半導體基板的側表面之間的電介質層。

半導體基板還可具有凹槽，其限定在半導體基板的側表面上，使一個表面和另一表面彼此連接并使屏蔽層暴露。半導體芯片還可包括：形成在凹槽中且與屏蔽層電連接的附加屏蔽層；以及形成在屏蔽層和半導體基板之間的電介質層。