[發明專利]半導體芯片和具有半導體芯片的半導體封裝體有效
| 申請號: | 201710933867.6 | 申請日: | 2013-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN107689366B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 李承燁 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 芯片 具有 封裝 | ||
1.一種包含多個半導體芯片的半導體封裝體,半導體芯片中的每一個包括:
半導體基板,所述半導體基板具有一個表面、背對所述一個表面的另一表面,以及所述一個表面上形成的集成電路;
屏蔽層,所述屏蔽層形成在所述半導體基板中,以對應于所述另一表面;
第一穿透電極,所述第一穿透電極穿透所述半導體基板和所述屏蔽層,并且與所述集成電路電連接;以及
第二穿透電極,所述第二穿透電極穿透所述半導體基板和所述屏蔽層,并且與所述屏蔽層電連接,
其中所述多個半導體芯片由所述第一穿透電極和所述第二穿透電極的介質堆疊,
其中所述半導體芯片的第二穿透電極彼此連接并構成所述半導體芯片的接地屏蔽層的接地通路。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝體,還包括:
結構體,所述結構體具有與所述第一穿透電極電連接的連接電極和與所述第二穿透電極電連接的接地電極。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝體,其中所述半導體芯片設置為使得所述半導體基板的所述另一表面面對所述結構體,且所述半導體基板的所述一個表面背對所述結構體。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝體,其中所述半導體芯片設置為使得所述半導體基板的所述一個表面面對所述結構體,且所述半導體基板的所述另一表面背對所述結構體。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝體,還包括:
結構體,所述結構體具有連接電極和接地電極,所述連接電極與所述堆疊的半導體芯片當中最下面的半導體芯片的所述第一穿透電極電連接,并且所述接地電極與所述最下面的半導體芯片的所述第二穿透電極電連接。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝體,其中所述堆疊的半導體芯片設置為使得每個半導體基板的所述另一表面面對所述結構體,且每個半導體基板的所述一個表面背對所述結構體。
7.根據權利要求5所述的半導體封裝體,其中所述堆疊的半導體芯片設置為使得每個半導體基板的所述一個表面面對所述結構體,且每個半導體基板的所述另一表面背對所述結構體。
8.根據權利要求5所述的半導體封裝體,其中所述堆疊的半導體芯片的最下面的半導體芯片設置為使得所述半導體基板的所述另一表面面對所述結構體,且所述半導體基板的所述一個表面背對所述結構體,并且所述堆疊的半導體芯片的最上面的半導體芯片設置為使得所述半導體基板的所述一個表面面對所述結構體,且所述半導體基板的所述另一表面背對所述結構體。
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