[發明專利]動態隨機存取存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 201710933813.X
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN109659275B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 吳姿錦;劉照恩;張景翔;陳意維
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種動態隨機存取存儲器的制作方法，包含提供一基底，然后，形成一第一掩模層，其中形成第一掩模層的步驟包含先形成一含氫氮化硅層，再形成一氧化硅層覆蓋并接觸含氫氮化硅層，其中含氫氮化硅層的化學式為Si_xN_yH_z，X的數值介于4至8之間、Y的數值介于3.5至9.5之間、Z的數值等于1，然后圖案化第一掩模層以形成一圖案化第一掩模層，接著以圖案化第一掩模層為掩模，蝕刻基底以形成一字符線溝槽，然后完全移除圖案化第一掩模層，最后形成一字符線于字符線溝槽。

技術領域

本發明涉及一種動態隨機存取存儲器的制作方法，特別是涉及一種避免字符線斷裂的制作方法。

背景技術

動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)屬于一種揮發性存儲器，其是由多個存儲單元構成。每一個存儲單元主要是由一個晶體管與一個由晶體管所操控的電容所構成，且每一個存儲單元通過字符線與位線彼此電連接。

為提高動態隨機存取存儲器的集成度以加快元件的操作速度，以及符合消費者對于小型化電子裝置的需求，近年來發展出埋入式字符線(buried word line)，以滿足上述種種需求。在制作埋入式字符線時，需要形成字符線溝槽，使用傳統制作工藝所形成的字符線溝槽經常發生字符線溝槽斷裂或是同一條字符線溝槽寬度不一的情況，如此將會造成后續所形成的字符線的電性問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種避免字符線溝槽缺陷的制作方法。

根據本發明的一優選實施例，一種動態隨機存取存儲器的制作方法，包含提供一基底，然后，形成一第一掩模層，其中形成第一掩模層的步驟包含先形成一含氫氮化硅層，再形成一氧化硅層覆蓋并接觸該含氫氮化硅層，其中含氫氮化硅層的化學式為Si_xN_yH_z，X的數值介于4至8之間、Y的數值介于3.5至9.5之間、Z的數值等于1，然后圖案化第一掩模層以形成一圖案化第一掩模層，接著以圖案化第一掩模層為掩模，蝕刻基底以形成一字符線溝槽，然后完全移除圖案化第一掩模層，最后形成一字符線于字符線溝槽。

附圖說明

圖1至圖7為本發明的優選實施例所繪示的動態隨機存取存儲器的制作方法的示意圖。

主要元件符號說明

10 基底 12 半導體基底

14 保護層 16 淺溝槽絕緣

18 摻雜區 20 第二掩模層

22 第一掩模層 24 含氫氮化硅層

26 氧化硅層 28 字符線溝槽

30 柵極介電層 32 字符線

34 功函數層 36 帽蓋層

38 層間介電層 40 位線插塞

42 電容插塞 44 電容

100 動態隨機存取存儲器 118 源極/漏極摻雜區

120 圖案化第二掩模層 122 圖案化第一掩模層

具體實施方式