[發明專利]動態隨機存取存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 201710933813.X
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN109659275B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 吳姿錦;劉照恩;張景翔;陳意維
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種動態隨機存取存儲器的制作方法，包含：

提供一基底；

形成一第一掩模層，其中形成該第一掩模層的步驟包含：

形成一含氫氮化硅層覆蓋該基底，以及形成一氧化硅層覆蓋并接觸該含氫氮化硅層，其中該含氫氮化硅層的化學式為Si_xN_yH_z，X的數值介于4至8之間、Y的數值介于3.5至9.5之間、Z的數值等于1；

圖案化該第一掩模層以形成一圖案化第一掩模層；

以該圖案化第一掩模層為掩模，蝕刻該基底以形成一字符線溝槽；

完全移除該圖案化第一掩模層；以及

形成一字符線于該字符線溝槽。

2.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的制作方法，其中該基底包含一半導體基底和一第二掩模層覆蓋該半導體基底。

3.如權利要求2所述的動態隨機存取存儲器的制作方法，其中形成該字符線溝槽的步驟包含：

以該圖案化第一掩模層為掩模，蝕刻該第二掩模層以形成一圖案化第二掩模層；

移除該圖案化第一掩模層；

以該圖案化第二掩模層為掩模，蝕刻該半導體基底以形成該字符線溝槽；以及

移除該圖案化第二掩模層。

4.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的制作方法，另包含：

在形成該第一掩模層之前，形成一摻雜區于該基底內；

在形成該字符線后，形成一電容插塞接觸該摻雜區；

在形成該字符線后，形成一電容于該基底上以完成該動態隨機存取存儲器，其中該電容通過該電容插塞電連接該摻雜區。

5.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的制作方法，其中形成該含氫氮化硅層是利用沉積制作工藝形成，該沉積制作工藝包含：以硅甲烷和氨作為前驅物以形成該含氫氮化硅層，硅甲烷的流量介于22.5至27.5每分鐘標準毫升之間，氨流量介于45至55每分鐘標準毫升之間。

6.如權利要求5所述的動態隨機存取存儲器的制作方法，其中該沉積制作工藝的操作溫度介于360至440度之間，操作壓力介于5.4至6.6托耳之間，操作功率介于72至88瓦特之間。