[發明專利]一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法

有效

• 申請號: 201710933312.1
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN107805779B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 徐慶宇;張昊;馬眉揚;王宏;董帥
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種激光濺射法制備CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

1.)制備CsPbBr₃靶材：采用溶液加熱法定量混合DMF、DMSO、環己醇、PbBr₂、CsBr制備出足量的CsPbBr₃單晶粉末，用壓片機壓制后制成CsPbBr₃靶材；

2.)將干凈的襯底與制備好的CsPbBr₃靶材共同放入脈沖激光沉積腔體中，抽真空，加熱襯底，同時調節入射腔體激光的能量，隨后設定激光脈沖數開始沉積；

3.)沉積結束后，襯底在腔體內保持加熱溫度真空退火后取出，得到CsPbBr₃薄膜；

所述溶液加熱法定量混合DMF、DMSO、環己醇、PbBr₂、CsBr制備出足量的CsPbBr₃單晶粉末，室溫下利用壓片機制成靶材，其中DMSO、CsBr、PbBr₂、環己醇、DMF的加入量為：

DMSO:CsBr:PbBr₂:環己醇:DMF＝(20-35):(0.5-1.5):(1-3):(5-8):(12-20)。

2.據權利要求1所述的激光濺射法制備CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述調節入射腔體激光的能量，是指將入射腔體激光的能量調節至50mJ-400mJ，CsPbBr₃薄膜的厚度通過激光能量和脈沖數進行精確控制。

3.據權利要求1所述的激光濺射法制備CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述的抽真空，是指抽真空至壓強為1×10^-2Pa以下。

4.據權利要求1所述的激光濺射法制備CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述的襯底加熱，是指溫度范圍為100℃-250℃。

5.據權利要求1所述的激光濺射法制備CsPbBr₃薄膜的方法，其特征在于所述的真空退火時間為5-30分鐘。