[發(fā)明專利]微傳感器封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710933276.9 | 申請日: | 2017-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN107915200A | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安范模;樸勝浩;邊圣鉉 | 申請(專利權(quán))人: | 普因特工程有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262 | 代理人: | 徐春,王漪 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 封裝 | ||
1.一種微傳感器封裝,其包括:
襯底,在其上形成金屬圖案;
設(shè)置在所述襯底上方的感測芯片;以及
覆蓋所述感測芯片的罩,
其中所述感測芯片包括:
傳感器平臺,其具有沿上下方向形成的多個第一孔隙;以及
傳感器電極,其在所述傳感器平臺的上部分或下部分上形成并且電連接到所述金屬圖案,
并且其中在所述罩中,用于向所述感測芯片供應(yīng)氣體的多個第二孔隙沿所述上下方向穿透地形成。
2.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述傳感器平臺是通過使由金屬制成的基底材料陽極化并且然后去除所述基底材料所獲得的陽極化膜。
3.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述平臺是陽極化多孔層,其中所述第一孔隙沿所述上下方向穿透。
4.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中在所述襯底中,沿所述上下方向形成多個第三孔隙。
5.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述罩由金屬材料形成。
6.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,其進一步包括:
其中在所述過濾器中,沿所述上下方向穿透地形成多個第四孔隙,并且所述第四孔隙與所述孔相通。
7.如權(quán)利要求6所述的微傳感器封裝,
其中所述第四孔隙通過陽極化形成。
8.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述過濾器經(jīng)受疏水處理。
9.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述過濾器安裝在所述罩的外部。
10.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述過濾器安裝在所述罩的內(nèi)部。
11.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述過濾器被表面處理使得特定氣體選擇性經(jīng)過。
12.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述第二孔隙通過陽極化形成。
13.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述罩經(jīng)受疏水處理。
14.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述罩被表面處理使得特定氣體選擇性經(jīng)過。
15.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述傳感器平臺形成有電連接到所述傳感器電極的電阻器陣列。
16.如權(quán)利要求1所述的微傳感器封裝,
其中所述第一孔隙沿所述上下方向穿透地形成,并且用于電連接所述傳感器電極和所述金屬圖案的第一連接部分在所述第一孔隙的至少一部分內(nèi)部形成。
17.如權(quán)利要求7所述的微傳感器封裝,
其中在所述第三孔隙的至少一部分內(nèi)部形成電連接到所述金屬圖案的第二連接部分。
18.如權(quán)利要求7所述的微傳感器封裝,
其中所述襯底包括陽極化多孔層。
19.一種微傳感器封裝,其包括:
襯底,在其上形成金屬圖案;以及
設(shè)置在所述襯底上的感測芯片,
其中所述感測芯片包括:
傳感器平臺,其中沿上下方向穿透地形成多個第一孔隙;
感測電極,其在所述傳感器平臺的上部分或下部分上形成并且電連接到所述金屬圖案;并且
用于電連接所述金屬圖案和所述傳感器電極的第一連接部分在所述第一孔隙的至少一部分內(nèi)部形成。
20.一種微傳感器封裝,其包括:
傳感器平臺,其中沿上下方向形成多個第一孔隙;
感測芯片,其包括在所述傳感器平臺中形成的傳感器電極;以及
罩,其覆蓋所述傳感器電極,
其中所述多個第一孔隙的至少一部分沿所述上下方向穿透,
并且其中電連接到所述傳感器電極的第一連接部分在所述第一孔隙內(nèi)部形成。
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