[發(fā)明專利]具有減少諧波的瞬態(tài)電壓抑制二極管及其制造和使用方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710930501.3 | 申請日: | 2017-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN107919322B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M.戈爾班扎德;J.克拉克;W.A.拉塞爾 | 申請(專利權(quán))人: | 商升特公司 |
| 主分類號: | H01L21/822 | 分類號: | H01L21/822;H01L27/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳嵐 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 減少 諧波 瞬態(tài) 電壓 抑制 二極管 及其 制造 使用方法 | ||
本申請涉及具有減少諧波的瞬態(tài)電壓抑制二極管及其制造和使用方法。半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體管芯。在半導(dǎo)體管芯中形成瞬態(tài)電壓抑制(TVS)結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體管芯上形成電容器。在一個實施例中,通過在半導(dǎo)體管芯上沉積第一導(dǎo)電層、在第一導(dǎo)電層上沉積絕緣層、以及在半導(dǎo)體管芯上沉積第二導(dǎo)電層來形成電容器。在另一個實施例中,通過在半導(dǎo)體管芯中形成溝道、在溝道中沉積絕緣材料、以及在溝道中沉積導(dǎo)電材料來形成電容器。
優(yōu)先權(quán)聲明
本申請要求于2016年10月6日提交的美國臨時申請No.62/405,135的權(quán)益,該申請通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體器件,更具體地,涉及減少瞬態(tài)電壓抑制二極管中的諧波生成的半導(dǎo)體器件和方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件通常見于現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。半導(dǎo)體器件在電氣部件的數(shù)量和密度有所不同。分立半導(dǎo)體器件通常包含一種類型的電氣部件,例如發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器和功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導(dǎo)體器件通常包含數(shù)百到數(shù)百萬個電氣部件。集成半導(dǎo)體器件的示例包括微控制器、微處理器、電荷耦接器件(CCD)、太陽能電池和數(shù)字微鏡器件(DMD)。
半導(dǎo)體器件執(zhí)行寬范圍的功能,例如信號處理、高速計算、發(fā)送和接收電磁信號、控制電子裝置、將陽光轉(zhuǎn)化為電力,以及為電視顯示器創(chuàng)建視覺投影。半導(dǎo)體器件也可見于娛樂、通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計算機(jī)和消費產(chǎn)品領(lǐng)域中。半導(dǎo)體器件也可見于軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中。
電子裝置通常包括與負(fù)載并聯(lián)耦接的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管。TVS二極管通過TVS二極管將瞬態(tài)電壓尖峰分流遠(yuǎn)離負(fù)載以保護(hù)負(fù)載。TVS二極管的一個問題是TVS二極管可能導(dǎo)致在電子裝置中生成不需要的諧波。當(dāng)在射頻(RF)信號路徑或電力線附近使用時,由TVS二極管生成的諧波特別成問題。諧波是具有基頻的整數(shù)倍的頻率的信號或波形。因此,對于具有頻率f的信號,二次諧波頻率為2f,三次諧波為3f,等等。
如果在生成的諧波信號內(nèi)包含足夠的能量,則諧波可能在基頻處引起RF或電力線上的初級波形的顯著干擾和失真。由于非線性的緣故生成諧波特別是奇次諧波。在TVS二極管的情況下,電容對反向電壓(dCj/dVR)存在非線性依賴性,這是因為TVS二極管是由一個或多個p-n結(jié)構(gòu)成的固態(tài)硅雪崩器件。p-n結(jié)的耗盡區(qū)的寬度隨著電壓而變化,從而導(dǎo)致TVS二極管的電容的非線性變化。
需要通過生成更線性的電容值的器件來減少TVS二極管的諧波生成。
附圖說明
圖1a-1e示出了在TVS二極管上形成MIM電容器;
圖2a-2d示出了封裝具有集成MIM電容器的TVS二極管;
圖3示出了保護(hù)負(fù)載的MIM電容器和TVS二極管的電路圖;
圖4示出了具有MIM電容器的備選TVS二極管實施例;
圖5a-5e示出了在具有TVS二極管的半導(dǎo)體管芯中形成溝道電容器;
圖6示出了具有溝道電容器的TVS二極管的電路圖;以及
圖7a-7b示出了具有集成電容器以減少諧波生成的TVS二極管的使用。
具體實施方式
在下面參考附圖的描述中的一個或多個實施例中描述了本發(fā)明,其中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的元件。雖然根據(jù)實現(xiàn)本發(fā)明目標(biāo)的最佳方式描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,該描述旨在涵蓋可包括在例如由所附權(quán)利要求和由下列公開和附圖支持的權(quán)利要求的等同物所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替代、修改和等同物。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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