[發(fā)明專利]超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710929998.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108735712B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 施伯錚;周家政;李俊德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/532 | 分類號(hào)： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介電常數(shù) 金屬 間介電層 形成 方法 | ||
1.一種超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，包括：
形成一第一金屬間介電層于一基底上，該第一金屬間介電層包括多個(gè)介電材料層，所述多個(gè)介電材料層的至少一個(gè)包括鋁，所述多個(gè)介電材料層的至少一個(gè)包括摻雜氧的碳化物；
形成一粘著層于該第一金屬間介電層上；
形成一超低介電常數(shù)介電層于該粘著層上；
形成一保護(hù)層于該超低介電常數(shù)介電層上；
形成一硬遮罩于該保護(hù)層上，且將該硬遮罩圖案化以產(chǎn)生一窗口；
移除該窗口下的層以產(chǎn)生一開口，其中該被移除的層包含該保護(hù)層、該超低介電常數(shù)介電層、該粘著層及該第一金屬間介電層；以及
形成一金屬層于該開口內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，還包括進(jìn)行一平坦化制程，其中該平坦化制程包括化學(xué)機(jī)械平坦化。
3.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中所述多個(gè)介電材料層包括氮化鋁層、一第一摻雜氧的碳化物層、氧化鋁層和一第二摻雜氧的碳化物層。
4.如權(quán)利要求3所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該超低介電常數(shù)介電層包括摻雜碳且富含氧的氧化硅材料。
5.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該超低介電常數(shù)介電層的形成，包括在一電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或一物理氣相沉積制程中，使用低流速的一前驅(qū)物，其中該前驅(qū)物包括甲基二乙氧基甲基硅烷，且該低流速是小于約900標(biāo)準(zhǔn)立方公分每分鐘的流速。
6.如權(quán)利要求5所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該超低介電常數(shù)介電層的形成，包括在該電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或該物理氣相沉積制程中，使用低的前驅(qū)物與載體氣體的流速比值，其中一載體氣體包括氦，且該低的前驅(qū)物與載體氣體的流速比值小于約0.2。
7.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該粘著層包括氧化物層或碳化物層，其中該氧化物層包括氧化硅，該碳化物層包括碳氧化硅。
8.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該保護(hù)層包括一介電蓋材料，該介電蓋材料包括無氮抗反射層。
9.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該保護(hù)層包括一介電蓋材料，該介電蓋材料包括四乙氧基硅烷，該硬遮罩包括氮化鈦。
10.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該金屬層包括后段制程的金屬互連線，該金屬層包括銅。
11.如權(quán)利要求1所述的超低介電常數(shù)金屬間介電層的形成方法，其中該基底包括一晶圓，該晶圓包含一硅晶圓，且該晶圓包括電子電路。
12.一種集成電路的制造方法，包括：
形成多個(gè)裝置于一基底上，以產(chǎn)生一制程中的基底；以及
通過通過產(chǎn)生后段制程金屬和多個(gè)介電層，對(duì)所述多個(gè)裝置實(shí)施傳導(dǎo)電力和信號(hào)布線互連，該后段制程金屬和該些介電層的產(chǎn)生是藉由：
形成一金屬間介電層于該制程中的基底上，該金屬間介電層包括多個(gè)介電材料層，所述多個(gè)介電材料層的至少一個(gè)包括鋁，所述多個(gè)介電材料層的至少一個(gè)包括摻雜氧的碳化物；
形成一超低介電常數(shù)介電層于該金屬間介電層上；
形成一介電蓋于該超低介電常數(shù)介電層上；
形成一硬遮罩于該介電蓋上，及將該硬遮罩圖案化以產(chǎn)生一窗口，該硬遮罩包含氮化鈦；
移除該窗口下的多個(gè)層以產(chǎn)生一溝槽，所述移除的層包含該介電蓋、該超低介電常數(shù)介電層和該金屬間介電層；以及
在該溝槽中形成包含銅的一金屬層。
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