[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710927745.6
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107490917A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪光輝
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

In_Cell，是將TP(touch panel，觸控面板)功能集成在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)中的一種面板設(shè)計方案，可以實現(xiàn)面板乃至整機的輕薄化。現(xiàn)有的In_Cell面板像素結(jié)構(gòu)中，為實現(xiàn)In_Cell面板的高PPI(Pixels Per Inch，每英寸所擁有的像素數(shù)目)化，通常是通過犧牲像素結(jié)構(gòu)的開口率或者產(chǎn)品的良率來實現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置，能夠在保證像素單元的開口率和產(chǎn)品良率的情況下實現(xiàn)顯示裝置的高PPI。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板包括：玻璃基板；在玻璃基板上形成的多條掃描線、與多條掃描線相交的多條數(shù)據(jù)線以及由多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線形成的多個像素單元，其中，每個像素單元包括一個薄膜晶體管和與薄膜晶體管電連接的像素電極，其中：薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極，柵極與掃描線電連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，漏極與像素電極電連接，其中，源極與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，漏極與源極分別設(shè)置在不同層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板包括前文任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置。該薄膜晶體管陣列基板包括玻璃基板、在玻璃基板上形成的多條掃描線、與多條掃描線相交的多條數(shù)據(jù)線以及由多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線形成的多個像素單元，其中，每個像素單元包括一個薄膜晶體管和與薄膜晶體管電連接的像素電極，薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極，柵極與掃描線電連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，漏極與像素電極電連接，其中，源極與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，漏極與源極分別設(shè)置在不同層。因此，本發(fā)明通過設(shè)置相同層的源極和數(shù)據(jù)線以及不同層的源極和漏極，使得通過減小相鄰的兩根數(shù)據(jù)線的距離來設(shè)置小尺寸的像素單元時，不會減小漏極與數(shù)據(jù)線之間的距離，即小尺寸的像素單元的設(shè)置不受到漏極的影響，因此，漏極和源極的位置和大小可往保證像素單元的開口率和產(chǎn)品良率的方向設(shè)置。即能夠在保證像素單元的開口率和產(chǎn)品良率的情況下實現(xiàn)顯示裝置的高PPI。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是沿圖1所示的像素單元的I-II線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的單個像素單元的放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

請一并參閱圖1-圖3，圖1是本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是沿圖1所示的像素單元的I-II線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的單個像素單元的放大結(jié)構(gòu)示意圖。首先如圖1所示，本實施例的薄膜晶體管陣列基板10包括玻璃基板11、在玻璃基板11上形成的多條掃描線12、與多條掃描線12相交的多條數(shù)據(jù)線13以及由多條掃描線12和多條數(shù)據(jù)線13形成的多個像素單元14。其中，每個像素單元14包括一個薄膜晶體管T和與薄膜晶體管T電連接的像素電極100。

請一并參閱圖2和圖3所示，本實施例中的薄膜晶體管T包括柵極G、源極S以及漏極D。其中，柵極G與掃描線12電連接，源極S與數(shù)據(jù)線13電連接，漏極D與像素電極100電連接。本實施例中，源極S與數(shù)據(jù)線13同層設(shè)置，D漏極與源極S分別設(shè)置在不同層。

因此，本實施例通過設(shè)置相同層的源極S和數(shù)據(jù)線13以及不同層的源極S和漏極D，使得通過減小相鄰的兩根數(shù)據(jù)線13的距離來設(shè)置小尺寸的像素單元100時，不會減小漏極D與數(shù)據(jù)線之13間的距離，即小尺寸的像素單元100的設(shè)置不受到漏極D的影響，因此，漏極D和源極S的位置和大小可往保證像素單元的開口率和產(chǎn)品良率的方向設(shè)置。即能夠在保證像素單元100的開口率和產(chǎn)品良率的情況下實現(xiàn)顯示裝置的高PPI。

本實施例中，薄膜晶體管陣列基板10還包括有源層16，設(shè)置在玻璃基板11上方，柵極G設(shè)置在有源層16上方，且掃描線12和柵極G同層設(shè)置，源極S以及漏極D設(shè)置在柵極G上方，其中，漏極D設(shè)置在源極S的上方。源極S以及漏極G分別與有源層16電連接。