[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201710927745.6
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN107490917A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 洪光輝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

玻璃基板；

在所述玻璃基板上形成的多條掃描線、與所述多條掃描線相交的多條數據線以及由所述多條掃描線和多條數據線形成的多個像素單元，其中，每個像素單元包括一個薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管電連接的像素電極，其中：

所述薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極，所述柵極與所述掃描線電連接，所述源極與所述數據線電連接，所述漏極與所述像素電極電連接，其中，所述源極與所述數據線同層設置，所述漏極與所述源極分別設置在不同層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括：

有源層，設置在所述玻璃基板上方，所述柵極設置在所述有源層上方，且所述掃描線和所述柵極同層設置，所述源極以及漏極設置在所述柵極上方，并且所述源極以及漏極分別與所述有源層電連接。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述漏極設置在所述源極的上方。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括：

第一絕緣層，設置在所述有源層和所述柵極之間；

第二絕緣層，設置在所述柵極和所述源極之間，在所述第二絕緣層上設置第一導通孔，所述第一導通孔穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層并露出所述有源層，所述源極通過所述第一導通孔與所述有源層電連接；

第三絕緣層，設置在所述源極與所述漏極之間，在所述第三絕緣層上設置第二導通孔，所述第二導通孔穿過所述第一、第二以及第三絕緣層并露出所述有源層，所述漏極通過所述第二導通孔與所述有源層電連接；

第四絕緣層，設置在所述漏極上，在所述第四絕緣層上設置第三導通孔，所述第三導通孔露出所述漏極，所述像素電極設置在所述第四絕緣層上并通過所述第三導通孔與所述漏極電連接。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源極和所述漏極的材質不同。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括觸控信號線，所述觸控信號線與所述漏極同層設置，并且所述觸控信號線與所述漏極采用相同的材質。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述觸控信號線與所述數據線平行設置并位于所述數據線的上方，且在同一行的像素單元中，相鄰的兩個像素單元至少一個未設置有所述觸控信號線。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在同一行的像素單元中，所述漏極與所述觸控信號線的距離大于所述漏極與相鄰的像素單元的數據線的距離。

9.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括遮光層，所述遮光層設置在所述玻璃基板和所述有源層之間，所述遮光層用于阻擋從所述玻璃基板側進入的光線傳輸到所述有源層中。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括權利要求1-9任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。