[發(fā)明專利]底部半導體封裝件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710924294.0 | 申請日： | 2017-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN107731761A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 睿力集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11283 | 代理人： | 肖冰濱,劉兵 |
| 地址： | 230601 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 底部 半導體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種底部半導體封裝件，其特征在于，包括：
第一重布線層結(jié)構(gòu)；
縱向連接件，形成在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的周邊區(qū)域上，所述縱向連接件與所述第一重布線層結(jié)構(gòu)電連接；
堆疊芯片，設置在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域上，該堆疊芯片包括背靠背貼合的第一芯片和第二芯片，至少一分立器件和所述第一芯片鍵合到所述第一重布線層結(jié)構(gòu)，所述第二芯片的有源面上設置有多個柱狀凸塊；
塑封料，形成在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)上，以封裝所述堆疊芯片、所述分立器件以及所述縱向連接件，并且所述柱狀凸塊的端部和所述縱向連接件的端部暴露于所述塑封料的外表面，其中所述第二芯片的所述有源面和所述塑封料的所述外表面之間具有間隔；
第二重布線層結(jié)構(gòu)，形成在所述塑封料的所述外表面上，所述第二重布線層結(jié)構(gòu)包括多個焊盤，經(jīng)由所述柱狀凸塊的端部電連接至所述第二芯片以及經(jīng)由所述縱向連接件的端部電連接至所述第一重布線層結(jié)構(gòu)；以及
焊球，設置在所述第二重布線層結(jié)構(gòu)的所述焊盤上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的底部半導體封裝件，其特征在于，所述第一芯片的尺寸小于所述第二芯片的尺寸，由此定義一遮蔽空間，所述分立器件位于所述遮蔽空間內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的底部半導體封裝件，其特征在于，所述第一芯片的有源面上設置有多個第一焊盤以及多個接合于所述第一焊盤的微凸塊，所述微凸塊經(jīng)由焊料與所述第一重布線層結(jié)構(gòu)中的電路鍵合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的底部半導體封裝件，其特征在于，所述第二芯片的有源面上形成有一塑封層，以包覆所述柱狀凸塊的側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的底部半導體封裝件，其特征在于，所述間隔由所述塑封層的厚度所定義。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的底部半導體封裝件，其特征在于，所述第二重布線層結(jié)構(gòu)內(nèi)形成的電路直接連接至所述柱狀凸塊的端部和所述縱向連接件的端部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的底部半導體封裝件，其特征在于，所述第一芯片和所述分立器件通過焊接的方式鍵合到所述第一重布線層結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的底部半導體封裝件，其特征在于，在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的介電層中形成有多個開孔，所述開孔暴露所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的中介焊盤，以供頂部半導體封裝件的鍵合。
9.一種用于制造底部半導體封裝件的方法，其特征在于，該方法包括：
在載體上形成第一重布線層結(jié)構(gòu)；
在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的周邊區(qū)域上形成多個與所述第一重布線層結(jié)構(gòu)電連接的縱向連接件；
在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域上設置堆疊芯片，該堆疊芯片包括背靠背貼合的第一芯片和第二芯片，至少一分立器件和所述第一芯片鍵合到所述第一重布線層結(jié)構(gòu)，所述第二芯片的有源面上設置有多個柱狀凸塊；
在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)上形成塑封料，以封裝所述堆疊芯片、所述分立器件以及所述縱向連接件，并使得所述柱狀凸塊的端部和所述縱向連接件的端部暴露于所述塑封料的外表面，其中所述第二芯片的所述有源面和所述塑封料的所述外表面之間具有間隔；
在所述塑封料的所述外表面上形成第二重布線層結(jié)構(gòu)，所述第二重布線層結(jié)構(gòu)包括多個焊盤，經(jīng)由所述柱狀凸塊的端部電連接至所述第二芯片以及經(jīng)由所述縱向連接件的端部電連接至所述第一重布線層結(jié)構(gòu)；以及
在所述第二重布線層結(jié)構(gòu)的所述焊盤上設置多個焊球。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一芯片的尺寸小于所述第二芯片的尺寸，由此定義一遮蔽空間，所述分立器件位于所述遮蔽空間內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一芯片和所述分立器件通過焊接的方式鍵合到所述第一重布線層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任意一項所述的方法，其特征在于，還包括：
去除所述載體，并在所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的介電層中形成多個開孔，暴露所述第一重布線層結(jié)構(gòu)的中介焊盤，以供頂部半導體封裝件的鍵合。
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