[發(fā)明專利]陣列基板及制備方法和顯示裝置

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• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107579083A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設計）人: 張保俠;蓋翠麗;王玲
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 黃德海

技術領域

本發(fā)明涉及顯示的技術領域，尤其涉及一種陣列基板及制備方法和顯示裝置。

背景技術

已知電容不僅影響顯示裝置的開口率和充電率，更是決定顯示裝置壽命的關鍵因素。因此在相關技術的顯示裝置的版圖設計中，電容是一個需要重點討論的參數(shù)。從而增大陣列基板的存儲電容量，減小電容器的占用空間，越來越受關注。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。為此，本發(fā)明提出一種陣列基板，可增大存儲電容量，減小電容器的占用空間。

本發(fā)明還提出一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明還提出一種上述陣列基板的制備方法。

根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板，包括：電容器，所述電容器包括多個金屬電極，所述多個金屬電極在平行于所述陣列基板所在平面的水平方向上間隔設置，所述電容器中至少一個所述金屬電極在所述陣列基板所在平面的正投影包括彎曲部。

根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板，通過使至少一個金屬電極在陣列基板所在平面的正投影包括彎曲部，從而可以增大相鄰的兩個金屬電極之間的交疊面積，進而增大陣列基板的存儲電容量，有利于減小電容器的占用空間，有利于陣列基板的小型化。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述電容器還包括至少一個絕緣層，相鄰的兩個所述金屬電極之間通過所述絕緣層間隔設置。

可選地，至少一個所述電容器的所述金屬電極在所述陣列基板所在平面上的正投影形成為螺旋狀。

可選地，所述彎曲部包括間隔設置的兩個間隔部和連接所述兩個間隔部的連接部，所述金屬電極為兩個，兩個所述金屬電極的所述間隔部交替設置。

進一步地，每個所述間隔部和所述連接部均為條狀。

可選地，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極，所述柵極與至少一個所述電容器的所述多個金屬電極位于同層,并且在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述金屬電極的厚度大于所述柵極的厚度。

可選地，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括漏級和源極，所述漏級和/或源極與至少一個所述電容器的所述多個金屬電極位于同層,并且在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述金屬電極的厚度大于所述漏級和/或所述源極的厚度。

可選地，所述電容器在所述陣列基板上的正投影的面積為S1，所述電容器的多個所述金屬電極之間的正對面積為S2，所述S1和S2滿足：S1＜S2。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，平行于所述陣列基板所在平面的方向為所述金屬電極的厚度方向，垂直于所述陣列基板所在的平面的方向為所述金屬電極的長度方向，每個所述金屬電極的厚度為D1，每個所述金屬電極的長度為L1，所述D1和L1滿足：D1＜L1。

根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置，包括上述的陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置，通過設置根據(jù)本發(fā)明上述實施例的陣列基板，從而可以增大相鄰的兩個金屬電極之間的交疊面積，進而增大陣列基板的存儲電容量，有利于減小電容器的占用空間，有利于陣列基板的小型化。同時提高顯示裝置的開口率和充電率。

根據(jù)本發(fā)明實施例的制備陣列基板的制造方法，包括形成電容器步驟，所述電容器包括多個金屬電極，所述多個金屬電極在平行于所述陣列基板所在平面的水平方向上間隔設置，所述電容器中至少一個所述金屬電極在所述陣列基板所在平面的正投影包括彎曲部。

根據(jù)本發(fā)明實施例的制備陣列基板的制造方法，可以增大陣列基板中相鄰的兩個金屬電極之間的交疊面積，進而增大陣列基板的存儲電容量，有利于減小電容器的占用空間，有利于陣列基板的小型化。同時提高應用陣列基板的顯示裝置的開口率和充電率。

進一步地，所述電容器還包括至少一個絕緣層，相鄰的兩個所述金屬電極之間通過所述絕緣層間隔設置。

可選地，形成所述電容器的步驟包括：

S1：形成金屬層；

S2：對所述金屬層進行刻蝕，形成所述金屬電極；

S3：在所述金屬電極之間形成所述絕緣層。

進一步地，所述步驟S3具體為：在所述金屬電極上涂布絕緣材料以形成所述絕緣層。

可選地，形成所述電容器的步驟包括：

S1：形成所述絕緣層；

S2：對所述絕緣層進行刻蝕，形成凹槽；

S3：形成金屬層；

S4：去除所述絕緣層的所述凹槽以外區(qū)域的所述金屬，形成所述金屬電極。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。