[發(fā)明專利]陣列基板及制備方法和顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710919671.1
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107579083A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張保俠;蓋翠麗;王玲
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201
• 代理人: 黃德海

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：電容器，所述電容器包括多個金屬電極，所述多個金屬電極在平行于所述陣列基板所在平面的水平方向上間隔設(shè)置，所述電容器中至少一個所述金屬電極在所述陣列基板所在平面的正投影包括彎曲部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述電容器還包括至少一個絕緣層，相鄰的兩個所述金屬電極之間通過所述絕緣層間隔設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，至少一個所述電容器的所述金屬電極在所述陣列基板所在平面上的正投影形成為螺旋狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彎曲部包括間隔設(shè)置的兩個間隔部和連接所述兩個間隔部的連接部，所述金屬電極為兩個，兩個所述金屬電極的所述間隔部交替設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，每個所述間隔部和所述連接部均為條狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極，所述柵極與至少一個所述電容器的所述多個金屬電極位于同層,并且在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述金屬電極的厚度大于所述柵極的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括漏級和源極，所述漏級和/或源極與至少一個所述電容器的所述多個金屬電極位于同層,并且在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述金屬電極的厚度大于所述漏級和/或所述源極的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述電容器在所述陣列基板上的正投影的面積為S1，所述電容器的多個所述金屬電極之間的正對面積為S2，所述S1和S2滿足：S1＜S2。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，平行于所述陣列基板所在平面的方向為所述金屬電極的厚度方向，垂直于所述陣列基板所在的平面的方向為所述金屬電極的長度方向，每個所述金屬電極的厚度為D1，每個所述金屬電極的長度為L1，所述D1和L1滿足：D1＜L1。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的陣列基板。

11.一種制備陣列基板的制造方法，其特征在于，包括形成電容器步驟，所述電容器包括多個金屬電極，所述多個金屬電極在平行于所述陣列基板所在平面的水平方向上間隔設(shè)置，所述電容器中至少一個所述金屬電極在所述陣列基板所在平面的正投影包括彎曲部。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述電容器還包括至少一個絕緣層，相鄰的兩個所述金屬電極之間通過所述絕緣層間隔設(shè)置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成所述電容器的步驟包括：

S1：形成金屬層；

S2：對所述金屬層進行刻蝕，形成所述金屬電極；

S3：在所述金屬電極之間形成所述絕緣層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S3具體為：在所述金屬電極上涂布絕緣材料以形成所述絕緣層。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述電容器的步驟包括：

S1：形成所述絕緣層；

S2：對所述絕緣層進行刻蝕，形成凹槽；

S3：形成金屬層；

S4：去除所述絕緣層的所述凹槽以外區(qū)域的所述金屬，形成所述金屬電極。