[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710919635.5 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN109599493B | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 閔超;黃秀頎;李維維 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 許志勇 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發(fā)光 器件 | ||
本申請實施例公開了一種有機電致發(fā)光器件,除了包括:陽極層22和陰極層25,還包括:層疊設置在陽極層22和陰極層25之間的第一發(fā)光層23和第二發(fā)光層24;第一發(fā)光層23包括第一主體材料和第一客體材料;第二發(fā)光層24包括第二主體材料和第二客體材料;第一客體材料和第二客體材料的單線態(tài)能級與三線態(tài)能級差均小于0.3eV。由于該器件增大了整個發(fā)光區(qū)域的厚度,這不僅能夠平衡載流子在發(fā)光區(qū)的濃度,還使得空穴和電子在靠近電極層的缺陷發(fā)光區(qū)形成非輻射復合的幾率減小,因此能夠提高發(fā)光器件的電流效率器件。
技術領域
本申請實施例涉及有機發(fā)光技術領域,尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件。
背景技術
有機電致發(fā)光器件因具有體形輕薄、發(fā)光面積大、可彎曲、便于攜帶等優(yōu)點,已被廣泛應用于顯示屏的制造中。
現(xiàn)有技術中的有機電致發(fā)光器件采用的是夾層式三明治結構,如圖1所示,現(xiàn)有技術中的有機電致發(fā)光器件一般包括:基板11、陽極層12、發(fā)光層13、和陰極層14。圖1所示的器件的發(fā)光原理是:空穴和電子分別從陽極層12和陰極層14注入發(fā)光層13,并在發(fā)光層13中復合激發(fā)發(fā)光層13內的發(fā)光材料形成激子,激子從激發(fā)態(tài)躍遷回到基態(tài)發(fā)出光亮,空穴和電子的輻射復合效率越高,發(fā)光效果越好。有機電致發(fā)光器件的空穴和電子的輻射復合效率也被稱為電流效率。
然而,現(xiàn)有技術中的這種發(fā)光器件,由于兩個電極層的距離較近,導致復合發(fā)光區(qū)與電極層的距離也較近,而靠近電極層的發(fā)光區(qū)域的制造缺陷較多 (例如發(fā)光材料鍍的不均勻),使得載流子在發(fā)光層不同區(qū)域的濃度不平衡,最終導致發(fā)光器件的電流效率較低,此外空穴和電子也會在這些缺陷處復合,并且復合后形成的載流子容易直從一個電極層進入另一個電極層,而沒有激發(fā)發(fā)光層內的發(fā)光材料形成激子,出現(xiàn)空穴和電子非輻射復合的情況,導致發(fā)光器件的電流效率也較低,發(fā)光效果不理想。
發(fā)明內容
本申請實施例提供一種有機電致發(fā)光器件,以解決現(xiàn)有技術方案中的有機電致發(fā)光器件的電流效率低的技術問題。
根據(jù)本申請實施例提供的一種有機電致發(fā)光器件,包括:陽極層和陰極層,其特征在于,所述器件還包括:層疊設置在所述陽極層和所述陰極層之間的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層;其中,
所述第一發(fā)光層包括第一主體材料和第一客體材料;
所述第二發(fā)光層包括第二主體材料和第二客體材料;
所述第一客體材料和所述第二客體材料的單線態(tài)能級與三線態(tài)能級差均小于0.3eV。
可選地,第一主體材料是空穴傳輸材料。
可選地,層疊設置在第一發(fā)光層下的空穴傳輸層,所述空穴傳輸層由空穴傳輸材料組成。
可選地,所述第一客體材料和所述第二客體材料的最高占據(jù)分子軌道 HOMO能級大于所述第一主體材料的HOMO能級,所述第一主體材料的 HOMO能級大于所述第二主體材料的HOMO能級,所述第一主體材料的 HOMO能級與所述第二主體材料的HOMO能級的差小于0.3eV。
可選地,所述第一主體材料的最低未占分子軌道LUMO能級大于所述第二主體材料的LUMO能級;所述第二主體材料的LUMO能級大于所述第一客體材料和所述第二客體材料的LUMO能級,所述第一主體材料的LUMO能級與所述第二主體材料的LUMO能級的差小于0.3eV。
可選地,所述第一主體材料的三線態(tài)能級大于所述第一客體材料的三線態(tài)能級。
可選地,所述第二主體材料的三線態(tài)能級大于所述第二客體材料的三線態(tài)能級。
可選地,所述第一發(fā)光層中所述第一客體材料的濃度為10%-20%wt。
可選地,所述第二發(fā)光層中所述第二客體材料的濃度為10%-20%wt。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山國顯光電有限公司,未經昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710919635.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:發(fā)光器件
- 下一篇:電子器件及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





