[發明專利]一種有機電致發光器件

有效

• 申請號: 201710919635.5
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN109599493B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 閔超;黃秀頎;李維維
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種有機電致發光器件，包括：陽極層（22）和陰極層（25），其特征在于，所述器件還包括：層疊設置在所述陽極層（22）和所述陰極層（25）之間的第一發光層（23）和第二發光層（24）；其中，

所述第一發光層（23）包括第一主體材料和第一客體材料；

所述第二發光層（24）包括第二主體材料和第二客體材料；

所述第一客體材料和所述第二客體材料的單線態能級與三線態能級差均小于0.3eV；

所述第一客體材料和所述第二客體材料均為熱活化延遲熒光TADF染料；

所述第一客體材料和所述第二客體材料的三線態能級設置在2.5eV-2.6eV之間，所述第一主體材料與所述第一客體材料形成的激子的能級設置在2.6eV-3.0eV之間，所述第二主體材料與所述第二客體材料形成的激子的能級設置在2.6eV-3.0eV之間。

2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述的第一主體材料是空穴傳輸材料。

3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：層疊設置在第一發光層下的空穴傳輸層（26），所述空穴傳輸層（26）由空穴傳輸材料組成。

4.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一客體材料和所述第二客體材料的最高占據分子軌道HOMO能級大于所述第一主體材料的HOMO能級，所述第一主體材料的HOMO能級大于所述第二主體材料的HOMO能級，所述第一主體材料的HOMO能級與所述第二主體材料的HOMO能級的差小于0.3eV。

5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一主體材料的最低未占分子軌道LUMO能級大于所述第二主體材料的LUMO能級；所述第二主體材料的LUMO能級大于所述第一客體材料和所述第二客體材料的LUMO能級，所述第一主體材料的LUMO能級與所述第二主體材料的LUMO能級的差小于0.3eV。

6.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一主體材料的三線態能級大于所述第一客體材料的三線態能級。

7.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二主體材料的三線態能級大于所述第二客體材料的三線態能級。

8.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一發光層（23）中所述第一客體材料的濃度為10%-20%wt；和/或，所述第二發光層（24）中所述第二客體材料的濃度為10%-20%wt。

9.根據權利要求1-8任一項所述的器件，其特征在于，所述第一發光層（23）的厚度為5nm-15nm；和/或，所述第二發光層（24）的厚度為5nm-15nm。