[發明專利]非易失性存儲器的控制電壓搜尋方法有效
| 申請號: | 201710917848.4 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN107945832B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 林義瑯 | 申請(專利權)人: | 力旺電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34;G06K19/077 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 徐協成 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 控制 電壓 搜尋 方法 | ||
一種非易失性存儲器的控制電壓搜尋方法。首先,產生一控制脈沖,其振幅為預設的一控制電壓且其脈寬為預設的一脈寬,并對一記憶胞進行一控制動作。當該脈沖數目小于該第一數目時,將該控制電壓加上一第一增量成為更新的該控制電壓。當該脈沖數目不小于該第一數目時,對該記憶胞進行一第一階段驗證。當該記憶胞通過該第一階段驗證時,對該記憶胞進行一第二階段驗證。以及,當該記憶胞通過該第二階段驗證時,將該控制電壓作為一目標控制電壓。
技術領域
本發明涉及一種存儲器的控制方法,且特別涉及一種非易失性存儲器的控制電壓搜尋方法。
背景技術
眾所周知,非易失性存儲器可在電源消失之后,仍可保存數據,因此非易失性存儲器已經廣泛的運用于電子產品中。
舉例來說,射頻識別(Radio Frequency Identification circuit,簡稱RFID)電路是利用無線電波來傳送識別數據(identification data),以達到身份識別的目的。因此,RFID電路中,必須具備一非易失性存儲器來存儲識別數據。
請參照圖1,其所繪示為RFID電路示意圖。RFID電路100中,包括一天線110、一控制電路120、與一非易失性存儲器130?;旧希孀R數據會存儲于非易失性存儲器130。當RFID電路100正常運作時,控制電路120可讀取(read)非易失性存儲器130所存儲的識別數據,并經由天線110將識別數據輻射至外部接收器(receiver,未繪示)。
當然,控制電路120也可修改非易失性存儲器130內部的識別數據。此時,控制電路120先進行抹除動作(erase action),以刪除非易失性存儲器130中舊的識別數據。接著,進行編程動作(program action),將更新的識別數據存儲至非易失性存儲器130。
再者,當控制電路120進行抹除動作來刪除非易失性存儲器130中的數據時,需要提供抹除電壓Ves至非易失性存儲器130,而非易失性存儲器130即根據抹除電壓Ves將內部的數據刪除。
同理,當控制電路120欲存儲數據至非易失性存儲器130時,需要進行編程動作并提供編程電壓Vpg至非易失性存儲器130,而非易失性存儲器130根據編程電壓Vpg即可將數據存儲至非易失性存儲器130。
一般來說,控制電路120接收的電源電壓Vdd遠小于編程電壓Vpg與抹除電壓Ves。因此,控制電路120內部會設置一升壓器(voltage booster)122,例如電荷泵(chargepump),來將電源電壓Vdd提高特定倍數而成為編程電壓Vpg與抹除電壓Ves,并將編程電壓Vpg與抹除電壓Ves提供至非易失性存儲器130。
舉例來說,當電源電壓Vdd為2.0V時,將電源電壓Vdd提升5倍而成為10V的編程電壓Vpg,并將電源電壓Vdd提3.5倍而成為7V的抹除電壓Ves。
由以上的說明可知,為了要讓非易失性存儲器130正常運作,控制電路120必須預先知道電源電壓Vdd、編程電壓Vpg、抹除電壓Ves之間的比例關系,并據以設計出升壓器122。
然而,有些電子產品是可接受寬范圍電源電壓(wide range power voltage)來運作。例如,可接收1.2V~2.5V寬范圍電源電壓的RFID電路。也就是說,只要RFID電路接收的電源電壓Vdd在1.2V~2.5之間,RFID電路皆可以正常運作。
由于RFID電路無法預測接收到的電源電壓Vdd的大小。如果利用圖1中控制電路120內的升壓器122來產生編程電壓Vpg與抹除電壓Ves,則可能造成非易失性存儲器130無法正常運作,或者導致非易失性存儲器130燒毀的情況產生。
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