[發明專利]非易失性存儲器的控制電壓搜尋方法

有效

• 申請號: 201710917848.4
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107945832B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 林義瑯
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G06K19/077
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 徐協成

1.一種非易失性存儲器的控制電壓搜尋方法，包括下列步驟：

(a1)提供預設的控制電壓與預設的脈寬；

(a2)根據該控制電壓與該脈寬來產生控制脈沖并對記憶胞進行控制動作，其中該控制脈沖的振幅為該控制電壓；

(a3)判斷該控制脈沖的脈沖數目是否小于第一數目，其中當該脈沖數目小于該第一數目時，將該控制電壓加上一第一增量成為更新的該控制電壓并回到步驟(a2)，當該脈沖數目不小于該第一數目時，對該記憶胞進行第一階段驗證；

(a4)當該記憶胞未通過該第一階段驗證時，將該控制電壓加上該第一增量成為更新的該控制電壓并回到步驟(a2)；當該記憶胞通過該第一階段驗證時，對該記憶胞進行第二階段驗證；以及

(a5)當該記憶胞通過該第二階段驗證時，將該控制電壓作為目標控制電壓。

2.如權利要求1所述的控制電壓搜尋方法，其中該控制電壓為抹除電壓，該控制脈沖為抹除脈沖、該控制動作為抹除動作，該第一階段驗證為第一階段抹除驗證，該第二階段驗證為第二階段抹除驗證。

3.如權利要求2所述的控制電壓搜尋方法，其中該記憶胞包括：

選擇晶體管，具有第一源/漏端連接至源極線，柵極端連接至選擇柵極線；

開關晶體管，具有第一源/漏端連接至位線，柵極端連接至字元線

浮動柵晶體管，具有第一源/漏端連接至該選擇晶體管的第二源/漏端，第二源/漏端連接至該開關晶體管的第二源/漏端；

第一電容器，連接于該浮動柵晶體管的浮動柵極與控制線之間；以及

第二電容器，連接于該浮動柵晶體管的該浮動柵極與抹除線之間。

4.如權利要求3所述的控制電壓搜尋方法，其中，于該抹除動作時，該控制線、該位線與該源極線接收接地電壓，該抹除線接收該抹除電壓，該字元線與該選擇柵極線接收電源電壓。

5.如權利要求3所述的控制電壓搜尋方法，其中，在該第一階段抹除驗證與該第二階段抹除驗證時，該控制線、該抹除線與該源極線接收接地電壓，該字元線與該選擇柵極線接收電源電壓，該位線接收偏壓電壓。

6.如權利要求2所述的控制電壓搜尋方法，其中，當該記憶胞產生的開啟電流大于第一電流數值時，該記憶胞通過該第一階段抹除驗證；以及當該記憶胞產生的該開啟電流大于第二電流數值時，該記憶胞通過該第二階段抹除驗證，且該第二電流數值大于該第一電流數值。

7.如權利要求1所述的控制電壓搜尋方法，其中該控制電壓為編程電壓，該控制脈沖為編程脈沖、該控制動作為編程動作，該第一階段驗證為第一階段編程驗證，該第二階段驗證為第二階段編程驗證。

8.如權利要求7所述的控制電壓搜尋方法，其中該記憶胞包括：

選擇晶體管，具有第一源/漏端連接至源極線，柵極端連接至選擇柵極線；

開關晶體管，具有第一源/漏端連接至位線，柵極端連接至字元線

浮動柵晶體管，具有第一源/漏端連接至該選擇晶體管的第二源/漏端，第二源/漏端連接至該開關晶體管的第二源/漏端；

第一電容器，連接于該浮動柵晶體管的浮動柵極與控制線之間；以及

第二電容器，連接于該浮動柵晶體管的該浮動柵極與抹除線之間。

9.如權利要求8所述的控制電壓搜尋方法，其中，于該編程動作時，該控制線與該抹除線接收該編程電壓，該位線與該源極線接收接地電壓，該字元線與該選擇柵極線接收電源電壓。

10.如權利要求8所述的控制電壓搜尋方法，其中，在該第一階段編程驗證與該第二階段編程驗證時，該控制線、該抹除線、該字元線與該選擇柵極線接收電源電壓，該源極線接收接地電壓，該位線接收偏壓電壓。