[發(fā)明專利]發(fā)光器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710917795.6 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN109599492A | 公開(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬中生;劉宏俊;郝力強 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光層 電子傳輸層 空穴傳輸層 電流效率 發(fā)光器件 反射電極 主體材料 電子傳輸層材料 空穴傳輸層材料 空穴 能級 高效性能 提升器件 出光面 遷移率 勢壘 | ||
本發(fā)明提供了一種發(fā)光器件,包括空穴傳輸層、電子傳輸層、位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)光層、及反射電極;發(fā)光層包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層,第一發(fā)光層的電流效率較第二發(fā)光層的電流效率高;第一發(fā)光層與反射電極之間為電子傳輸層,第一發(fā)光層的主體材料選自空穴傳輸層的材料,或者,第一發(fā)光層與反射電極之間為空穴傳輸層,第一發(fā)光層的主體材料選自電子傳輸層的材料,將電流效率高的第一發(fā)光層設(shè)置于靠近發(fā)光器件的出光面,由此能夠充分發(fā)揮第一發(fā)光層的高效性能特點;第一發(fā)光層的主體材料選擇空穴傳輸層材料或電子傳輸層材料,降低第一發(fā)光層與空穴傳輸層或者電子傳輸層間的能級勢壘,提升空穴或電子的遷移率,提升器件電流效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)
OLED(Organic Light-Emitting Diode)是一種新型的顯示、照明技術(shù),近幾年內(nèi)針對OLED器件的投資逐漸增加,OLED器件已經(jīng)成為行業(yè)熱點。OLED器件具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性,同時擁有高清晰、廣視角、以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢,是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源,符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢,以及綠色照明技術(shù)的要求,是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。
目前,OLED器件作為一種典型的發(fā)光器件,仍存在電流效率較低的問題,從而使得功耗較大,壽命較差,難以滿足穿戴類產(chǎn)品對高亮度,低功耗的需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光器件,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的發(fā)光器件電流效率較低,從而功耗較大、壽命較差的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種發(fā)光器件,所述發(fā)光器件包括:空穴傳輸層、電子傳輸層、位于所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層之間的發(fā)光層、及反射電極;所述發(fā)光層包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層,其中,所述第一發(fā)光層的電流效率較所述第二發(fā)光層的電流效率高;所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述電子傳輸層,所述第一發(fā)光層的主體材料選自所述空穴傳輸層的材料,或者,所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述空穴傳輸層,所述第一發(fā)光層的主體材料選自所述電子傳輸層的材料。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述發(fā)光器件為白光發(fā)光器件。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第一發(fā)光層為黃光發(fā)光層,所述第二發(fā)光層為藍光發(fā)光層。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第一發(fā)光層的主體材料和所述空穴傳輸層的材料均包括NPB。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第一發(fā)光層的主體材料和所述電子傳輸層的材料均包括Alq3。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第一發(fā)光層的染料的發(fā)光峰值為540nm~580nm。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第二發(fā)光層的主體材料包括MAND,所述第二發(fā)光層的染料的發(fā)光峰值為440nm~480nm。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第二發(fā)光層的膜層厚度較所述第一發(fā)光層的膜層厚度厚。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述第二發(fā)光層的膜層厚度是所述第一發(fā)光層的膜層厚度的2倍~5倍。
可選的,在所述的發(fā)光器件中,所述發(fā)光器件還包括透明電極,當所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述電子傳輸層時,所述空穴傳輸層位于所述透明電極上;當所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述空穴傳輸層時,所述透明電極位于所述電子傳輸層上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆山維信諾科技有限公司,未經(jīng)昆山維信諾科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710917795.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





