[發(fā)明專利]發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710917795.6
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN109599492A
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬中生;劉宏俊;郝力強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件包括：空穴傳輸層、電子傳輸層、位于所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層之間的發(fā)光層、及反射電極；所述發(fā)光層包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層的電流效率較所述第二發(fā)光層的電流效率高；所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述電子傳輸層，所述第一發(fā)光層的主體材料選自所述空穴傳輸層的材料，或者，所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述空穴傳輸層，所述第一發(fā)光層的主體材料選自所述電子傳輸層的材料。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件為白光發(fā)光器件。

3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層為黃光發(fā)光層，所述第二發(fā)光層為藍(lán)光發(fā)光層。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層的主體材料和所述空穴傳輸層的材料均包括NPB。

5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層的主體材料和所述電子傳輸層的材料均包括Alq₃。

6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層的染料的發(fā)光峰值為540nm～580nm。

7.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第二發(fā)光層的主體材料包括MAND，所述第二發(fā)光層的染料的發(fā)光峰值為440nm～480nm。

8.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第二發(fā)光層的膜層厚度較所述第一發(fā)光層的膜層厚度厚。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第二發(fā)光層的膜層厚度是所述第一發(fā)光層的膜層厚度的2倍～5倍。

10.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括透明電極，當(dāng)所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述電子傳輸層時(shí)，所述空穴傳輸層位于所述透明電極上；當(dāng)所述第一發(fā)光層與所述反射電極之間為所述空穴傳輸層時(shí)，所述透明電極位于所述電子傳輸層上。