[發明專利]一種高熱導液相燒結碳化硅陶瓷及其制備方法有效
| 申請號： | 201710917024.7 | 申請日： | 2017-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN109592983B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 姚秀敏;張輝;楊曉;劉學建;黃政仁 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高熱 導液相 燒結 碳化硅 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種高熱導液相燒結碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：
將SiC粉體、稀土氧化物和溶劑混合，制備得到漿料，所述稀土氧化物為CeO2和Y2O3，且CeO2和Y2O3摩爾比為1:1；所述稀土氧化物為Er2O3和CeO2，且Er2O3和CeO2摩爾比為1:1；所述稀土氧化物為Y2O3和Er2O3，且Y2O3和Er2O3摩爾比為1:1；所述稀土氧化物的添加量占SiC粉體和稀土氧化物總質量的3.0～8.0wt%；
將所得漿料經干燥、過篩、成型后得到坯體；
將所得坯體經過熱壓燒結，得到所述高熱導液相燒結碳化硅陶瓷，所述熱壓燒結的溫度為1850～2000℃，保溫時間為30～90分鐘，壓力20～60MPa；
所述高熱導液相燒結碳化硅陶瓷的熱導率在150W·m-1·K-1以上，直流電阻率在104Ω·cm以上。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiC粉體的粒徑為0.1～1.0μm。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述漿料中還包括分散劑，所述分散劑為四甲基氫氧化銨、聚丙烯酸和聚丙烯酸氨中的至少一種。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述分散劑為SiC粉體和稀土氧化物總質量的0.5～1wt%。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溶劑為無水乙醇或/和水，所述漿料的固含量為45～50wt%。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熱壓燒結的氛圍為惰性氣氛，所述惰性氣氛為氬氣。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的制備方法，其特征在于，將所得漿料經干燥、過篩得到粉體干壓成型后裝入模具或將粉體直接裝入模具預壓成型，得到坯體。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述干壓成型的壓力為15～100MPa，所述預壓成型的壓力≤5MPa。
9.一種根據權利要求1-8中任一項所述方法制備的高熱導液相燒結碳化硅陶瓷，其特征在于，所述高熱導液相燒結碳化硅陶瓷的熱導率在150W·m-1·K-1以上，直流電阻率在104Ω·cm以上。
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