[發(fā)明專(zhuān)利]金屬陶瓷復(fù)合料帶結(jié)構(gòu)及其制造方法與其發(fā)光二極管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710910199.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109585626A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李宜臻 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 李宜臻 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京維澳專(zhuān)利代理有限公司 11252 | 代理人: | 王立民;張應(yīng) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣南投*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 金屬陶瓷復(fù)合料 帶結(jié)構(gòu) 發(fā)光二極管 金屬基層 芯片承載座 基板加工 一體成形 陶瓷層 制造 | ||
本發(fā)明提供一種金屬陶瓷復(fù)合料帶結(jié)構(gòu)及其制造方法與使用其的發(fā)光二極管。本發(fā)明提供的金屬陶瓷復(fù)合料帶結(jié)構(gòu)包含一基板,該基板包含有一金屬基層、以及設(shè)置于該金屬基層外側(cè)的陶瓷層,該基板上具有多個(gè)經(jīng)由該基板加工形成并與該基板一體成形的芯片承載座。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)線架的料帶結(jié)構(gòu),特別是金屬陶瓷復(fù)合料帶結(jié)構(gòu),可用于制備發(fā)光二極管。
背景技術(shù)
現(xiàn)今的發(fā)光二極管散熱基板包含印刷電路板(PCB)、金屬基印刷電路板(MetalCore PCB;MCPCB)及陶瓷基板(Ceramic Substrate)。其中,印刷電路板為最早使用的基板。
目前,市場(chǎng)上大宗的散熱基板主要為金屬基印刷電路板(MCPCB),其是一種以金屬作為核心基板的印刷電路板,主要是將印刷電路板貼附在一金屬基層上,以利用金屬(鋁或銅)加強(qiáng)導(dǎo)熱及快速散熱;常見(jiàn)的單面鋁基板結(jié)構(gòu)為銅箔、絕緣層及鋁板。然而,金屬基印刷電路板(MCPCB)的絕緣層為樹(shù)脂絕緣層,因此在使用時(shí)仍有溫度上的限制(一般為140℃),在制造過(guò)程或使用時(shí),反復(fù)的高溫往往會(huì)造成絕緣層龜裂及剝離。
近期,為改善散熱及絕緣層龜裂問(wèn)題,發(fā)展出使用陶瓷作為核心基板。陶瓷在高溫及高濕度時(shí),性能穩(wěn)定,耐熱性及熱傳導(dǎo)性也較高,因此是一種良好的散熱材料,而陶瓷基板在金屬線路布置時(shí),包含有低溫共燒結(jié)陶瓷(Low-Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)、高溫共燒結(jié)陶瓷(High-Temperature Co-fired Ceramic,HTCC)、直接覆銅基板(Direct Plate Copper,DPC)及直接接合銅基板(Direct Bonded Copper,DPC)。
然而,本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)雖然陶瓷可改善散熱性及無(wú)需使用環(huán)氧樹(shù)脂絕緣層等問(wèn)題,但卻存有熔點(diǎn)及硬度過(guò)高的狀況,并限制了核心基板的機(jī)械加工性,且陶瓷作為核心基板在物料及生產(chǎn)上有制造成本較高的問(wèn)題。另外,無(wú)論是金屬基印刷電路板或是陶瓷基板等作為發(fā)光二極管的導(dǎo)線支架時(shí),在發(fā)光二極管制程中都需額外設(shè)置芯片承載座的杯體(或擋墻、承載墻、璧、燈杯),即增加制程的程序,例如常見(jiàn)的技術(shù)手段為使用環(huán)氧樹(shù)脂作為黏著劑將杯體黏著于核心基板上。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種金屬陶瓷復(fù)合料帶結(jié)構(gòu),包含一基板,該基板包含有一金屬基層、以及設(shè)置于該金屬基層外側(cè)的陶瓷層,該基板上具有多個(gè)經(jīng)由該基板加工形成并與該基板一體成形的芯片承載座。
進(jìn)一步地,該基板經(jīng)由加工形成多個(gè)圍繞于該芯片承載座周側(cè)的縫隙,并在該縫隙之間具有連接該芯片承載座及該基板之間的連接單元。
進(jìn)一步地,該芯片承載座為經(jīng)由沖壓形成的封閉凸起單元。
進(jìn)一步地,該芯片承載座上具有一個(gè)或多個(gè)貫孔、以及一個(gè)或多個(gè)分別設(shè)置于該貫孔上的導(dǎo)接單元。
進(jìn)一步地,該芯片承載座的陶瓷層上具有一個(gè)或多個(gè)用以連接芯片的金屬線路。
本發(fā)明另提供一種金屬陶瓷復(fù)合料帶的制造方法,其包含有:提供一金屬基層;在該金屬基層表面形成陶瓷層;沖壓該金屬基層形成數(shù)組式凸起單元,并在該數(shù)組式凸起單元之間分別包圍并形成多個(gè)供填膠的封閉空間,以構(gòu)成多個(gè)芯片承載座。
進(jìn)一步地,包含將該金屬基層依據(jù)數(shù)組切割多個(gè)縫隙,并保留一個(gè)或多個(gè)連接單元,以使該金屬基層支持該芯片承載座。
進(jìn)一步地,該芯片承載座具有一個(gè)或多個(gè)貫孔,其中該貫孔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有一陶瓷層包覆該貫孔內(nèi)周側(cè)的壁面,并有一個(gè)或多個(gè)分別設(shè)置于該貫孔上的導(dǎo)接單元。
進(jìn)一步地,該芯片承載座的陶瓷層上具有一個(gè)或多個(gè)用以連接芯片的金屬線路。
本發(fā)明另提供一種發(fā)光二極管,其包含如上所述的金屬陶瓷復(fù)合料帶結(jié)構(gòu),。
是以,本發(fā)明比起熟知技術(shù)具有以下優(yōu)異效果:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





