[發明專利]半導體器件和半導體封裝件

有效

• 申請號: 201710906538.2
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107887429B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 那須賢太郎;西田健志
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/735;H01L29/78
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供一種半導體器件，該半導體器件包括：增強型第一p溝道型MISFET；增強型第二p溝道型MISFET；與所述第一p溝道型MISFET和所述第二p溝道型MISFET的漏極公共地電連接的漏極導體；與所述第一p溝道型MISFET的源極電連接的第一源極導體；與所述第二p溝道型MISFET的源極電連接的第二源極導體；和與所述第一p溝道型MISFET和所述第二p溝道型MISFET的柵極公共地電連接的柵極導體。由此能夠提供常導通型的可實現元件的小型化的半導體器件。

本申請與2016年9月30日向日本特許廳提交的日本專利申請特愿2016-194316號、2016年9月30日向日本特許廳提交的日本專利申請特愿2016-194317號和2017年8月22日向日本特許廳提交的日本專利申請特愿2017-159596號對應，在此援引這些申請的全部公開內容。

技術領域

本發明涉及半導體器件和半導體封裝件。

背景技術

在現有技術中，作為常導通(normally on)型半導體元件，已知有JFET(Junctiongate Field Effect Transistor：結柵場效應晶體管)。

例如，專利文獻1(日本特開2011-166673號公報)公開了以與MOSFET組合的方式使用的SiC-JFET。

另外，專利文獻2(日本特開2014-123665號公報)公開了一種半導體封裝件，該半導體封裝件包括半導體芯片、搭載半導體芯片的臺、柵極引線、源極引線、漏極引線、接合線和密封樹脂。

常導通型的JFET，利用因施加電壓而在半導體層內擴展的耗盡層來切斷半導體層中流動的電流。通過適當地設計耗盡層的擴展寬度，能夠確保可靠地切斷電流。因此，在JFET中，必須優先考慮耗盡層的擴展寬度，降低半導體層的雜質濃度(溝道濃度)，這樣的結果是導致每單位長度的電阻比較高。另外，作為常導通型的半導體元件，還存在耗盡型MOSFET，但是同樣由于優先考慮耗盡層的擴展寬度這樣的理由，妨礙了半導體層的電阻的降低。

考慮到這樣的背景，在JFET和耗盡型MOSFET中，為了降低導通電阻而需要大幅確保電流路徑。因此，難以將元件小型化后使用。

發明內容

本發明的目的是提供一種常導通型的能夠實現元件的小型化的半導體器件和半導體封裝件。

另外，雖然如專利文獻2那樣地在現有技術中提案有各種各樣的半導體封裝件，但是今后伴隨便攜式終端的需要，要求更小型化的晶體管。

本發明的另一目的是提供與現有技術相比特別小型化的半導體器件。

本發明的一個實施方式的半導體器件包括：增強型的第一p溝道型MISFET；增強型的第二p溝道型MISFET；與上述第一p溝道型MISFET和上述第二p溝道型MISFET的漏極公共地電連接的漏極導體；與上述第一p溝道型MISFET的源極電連接的第一源極導體；與上述第二p溝道型MISFET的源極電連接的第二源極導體；和與上述第一p溝道型MISFET和上述第二p溝道型MISFET的柵極公共地電連接的柵極導體。