[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710906538.2
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107887429B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 那須賢太郎;西田健志
• 申請（專利權(quán)）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/735;H01L29/78
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

增強(qiáng)型的第一p溝道型MISFET；

增強(qiáng)型的第二p溝道型MISFET；和

半導(dǎo)體層，其具有：與所述第一p溝道型MISFET和所述第二p溝道型MISFET共用的p型漏極區(qū)域；所述第一p溝道型MISFET用的第一有源區(qū)域；和與所述第一有源區(qū)域相鄰配置的所述第二p溝道型MISFET用的第二有源區(qū)域，

所述第一p溝道型MISFET包括：形成在所述半導(dǎo)體層的正面部的第一n型基體區(qū)域；形成在所述第一n型基體區(qū)域的正面部的第一p型源極區(qū)域；從所述半導(dǎo)體層的正面貫通所述第一p型源極區(qū)域和所述第一n型基體區(qū)域的第一柵極溝槽；埋入于所述第一柵極溝槽中的第一柵極電極；和與所述第一p型源極區(qū)域連接的第一源極電極，

所述第二p溝道型MISFET包括：形成在所述半導(dǎo)體層的正面部的第二n型基體區(qū)域；形成在所述第二n型基體區(qū)域的正面部的第二p型源極區(qū)域；從所述半導(dǎo)體層的正面貫通所述第二p型源極區(qū)域和所述第二n型基體區(qū)域的第二柵極溝槽；埋入于所述第二柵極溝槽中的第二柵極電極；和與所述第一源極電極分開配置且與所述第二p型源極區(qū)域連接的第二源極電極，

所述半導(dǎo)體器件還包括：

形成在所述第一柵極溝槽與所述第二柵極溝槽之間，將所述第一柵極溝槽與所述第二柵極溝槽公共地連接的第三柵極溝槽；

埋入于所述第三柵極溝槽中且與所述第一柵極電極和所述第二柵極電極公共地連接的第三柵極電極；

形成在所述第一柵極溝槽與所述第三柵極溝槽之間和所述第二柵極溝槽與所述第三柵極溝槽之間的至少一者的第三n型基體區(qū)域；和

形成在所述半導(dǎo)體層的背面且與所述p型漏極區(qū)域連接的漏極電極，

所述第三n型基體區(qū)域，以所述第三n型基體區(qū)域從所述半導(dǎo)體層的正面露出的方式，在所述第三柵極溝槽的深度方向上，在從所述第三柵極溝槽的底部到所述半導(dǎo)體層的正面之間在所述第三柵極溝槽的內(nèi)面露出，

在所述第三柵極電極與所述第三n型基體區(qū)域之間夾著柵極絕緣膜，

所述第三柵極電極，在所述第三柵極溝槽的深度方向上，在從所述第三柵極溝槽的底部到所述半導(dǎo)體層的正面之間隔著所述柵極絕緣膜與第三n型基體區(qū)域相對。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述第一有源區(qū)域與所述第二有源區(qū)域之間的區(qū)域中的比所述半導(dǎo)體層的正面部靠所述半導(dǎo)體層的背面?zhèn)鹊膮^(qū)域，是所述共用的p型漏極區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

還包括柵極配線，所述柵極配線包括：一個(gè)柵極焊盤；和與所述柵極焊盤連接的包圍所述第一有源區(qū)域、所述第二有源區(qū)域和所述第三柵極電極的柵極支線，

所述第一源極電極和所述第二源極電極配置在由所述柵極支線彼此分開的區(qū)域內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

由所述第一p溝道型MISFET的多個(gè)第一單元構(gòu)成的直線狀的第一單元串；和

由所述第二p溝道型MISFET的多個(gè)第二單元構(gòu)成的直線狀的第二單元串，

所述第一單元串和所述第二單元串相互隔開間隔地交替配置，

所述第一源極電極在所述第一單元串和所述第二單元串的一端側(cè)具有基端部，且形成為在各所述第一單元上具有齒部的梳齒狀，

所述第二源極電極在所述第一單元串和所述第二單元串的另一端側(cè)具有基端部，且形成為在各所述第二單元上具有齒部且與所述梳齒狀的所述第一源極電極隔開間隔地嚙合的梳齒狀。

5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述第一p溝道型MISFET的多個(gè)第一單元和所述第二p溝道型MISFET的多個(gè)第二單元整體排列成矩陣狀，

所述多個(gè)第一單元和所述多個(gè)第二單元在行方向和列方向的各方向上交替配置。

6.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：

權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件；和

將所述半導(dǎo)體器件的全部或一部分密封的密封樹脂。